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具有高响应度和光暗电流比的 Ga2O3 肖特基雪崩日盲光电二极管
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2023-09-08 , DOI: 10.1002/aelm.202300297 Shiqi Yan 1 , Teng Jiao 2 , Zijian Ding 1 , Xinyu Zhou 1 , Xingqi Ji 1 , Xin Dong 2 , Jiawei Zhang 1 , Qian Xin 1 , Aimin Song 1
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2023-09-08 , DOI: 10.1002/aelm.202300297 Shiqi Yan 1 , Teng Jiao 2 , Zijian Ding 1 , Xinyu Zhou 1 , Xingqi Ji 1 , Xin Dong 2 , Jiawei Zhang 1 , Qian Xin 1 , Aimin Song 1
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日盲光电探测器因其超低背景噪声、全天候等优点而受到广泛关注。在这项研究中，平面Ti/Ga 2 O 3 /Au肖特基雪崩光电探测器（APD）是基于通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的β - Ga 2 O 3外延薄膜制造的。肖特基APD表现出9780.23 A W −1的高响应度、1.88 × 10 7的超高光暗电流比、4.77 × 10 6 %的外量子效率、9.48 × 10 14 Jones的比探测率，在60 V反向偏压、254 nm光照射下具有1×10 6的超高增益，表明日盲成像具有很高的应用潜力。优异的光响应性能归因于有效的载流子雪崩倍增，这有助于产生高光电流，以及高质量的肖特基结耗尽，从而导致低暗电流。
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更新日期：2023-09-08
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