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N型和P型半导体上的金属-铁电-绝缘体-半导体隧道结的导电机理
IEEE Electron Device Letters ( IF 4.1 ) Pub Date : 2020-12-01 , DOI: 10.1109/led.2020.3041515 Pengying Chang , Gang Du , Jinfeng Kang , Xiaoyan Liu
IEEE Electron Device Letters ( IF 4.1 ) Pub Date : 2020-12-01 , DOI: 10.1109/led.2020.3041515 Pengying Chang , Gang Du , Jinfeng Kang , Xiaoyan Liu
通过新开发的模型阐明了使用金属-铁电绝缘体-半导体（MFIS）在n型和p型半导体上的铁电隧道结（FTJ）的导电机理，并通过实验结果进行了验证。在该模型中，包括了从导带和价带的电子隧穿以及从价带的空穴隧穿，以计算MFIS-FTJ在开/关状态下的读取电流。该模型解释了p型ON / OFF状态的意外极化极性以及n型和p型MFIS-FTJ之间的隧穿电阻（TER）比的差异，这不能仅仅通过大多数的耗尽/累积来理解半导体中的载流子。
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更新日期：2020-12-25
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