个人简介
学习经历:
2007.9-2010.6:中科院半导体研究所微电子与固体电子学专业,博士研究生
2003.9-2006.3:天津工业大学物理电子学专业,硕士研究生
1999.9-2003.7:天津工业大学电子信息工程专业,本科
工作经历:
2006.3至今:天津工业大学电子与信息工程学院
讲授主要课程:
化合物半导体器件/化合物半导体高速集成电路
申请专利
[1]刘宏伟,刘春影,阚强,金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED及其制
作方法,2013,中国,申请号:201310548138.0
[2]刘宏伟,阚强,王春霞,陈弘达,一种利用光谱强度变化检测介质折射率变
化的装置,2010,中国,申请号201010139176.7
[3]刘宏伟,阚强,王春霞,陈弘达,一种制作纳米压印印章的方法,2010,中
国,申请号:201010139179.0
[4]於丰,阚强,许兴胜,王春霞,刘宏伟,陈弘达,利用全反射角的改变进行传
感的折射率传感方法,2008,中国,申请号:200810240936.6
[5]牛萍娟,刘宏伟,胡海蓉,功率性LED封装装置,2005,中国,专利号
CN200520025935.1
[6]牛萍娟,贾海强,刘宏伟,带有低熔点凸点的倒装焊接结构及制作方法,2005,
中国,专利号CN200510015208.1
代表性科研项目:
1、国家自然科学基金青年项目,11404239,金属光子晶体增强硅基LED发光关键技术研究,2015.01-2017.01,30万元,在研,主持。
2、国家自然科学基金面上项目,阵列波导光栅解调系统异构集成的关键技术研究,2012.1-至今,70万元,在研,参与。
3、国家高技术研究发展计划,多通道高效率SOI基光子晶体波分复用器,2009.5-2011.12,100万元,结项,参与。
4、国家自然科学基金青年项目,与CMOS工艺兼容硅基PERL结构发光二极管研究,2008.1-2010.12,24万元,结项,参与。
5、天津市应用基础研究计划重点项目,氮化镓基发光二极管器件制备关键技术研究,2004.1-2006.12,15万元,结项,参与。
6、天津市科技攻关培育项目,白色大尺寸GaN基LED器件研究,2003.1-2005.9,20万元,结项,参与。
获奖情况:
[1]刘宏伟,大功率LED路灯,天津市科技进步奖三等奖,2010年
研究领域
研究方向一:半导体照明技术技术研究
研究方向二:硅基光电集成技术研究
研究方向三:表面等离子体激元技术研究
近期论文
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[1]LIUHong-Wei,KANQiang,WANGChun-Xia,HUHai-Yang,XUXing-Sheng,
CHENHong-Da,LightExtractionEnhancementofGaNLEDwitha
Two-DimensionalPhotonicCrystalSlab,CHINESEPHYSICSLETTERS,28(5),
2011
[2]HongweiLiu,QiangKan,ChunxiaWang,FengYu,XingshengXu,HongdaChen,
LightextractionofGaNLEDswith2-Dphotoniccrystalstructure,CHINESE
OPTICSLETTERS,7(10),2009
[3]GuoWeilian;NiuPingjuan;LiXiaoyun;LiuHongwei;GuXiao;MaoLuhong;
ZhangShilin;ChenYan;WangWei,LogicCircuitsComposedbyCMOSNDR
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(8),2010
[4]於丰,许兴胜,阚强,王春霞,刘宏伟,陈弘达,“光栅辅助的表面波传感
器研究”,量子电子学报,27(1),2010
[5]NiuPJ,WangXL,GuoWL,LuoHY,FuXS,LiuHW,LiXY,Thefabricationof
high-brightnessandhigh-powerInGaAlPsingle-sideredLED,LIGHT-EMITTING
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[6]HongweiLiu,PingjuanNiu,HaiyangHu,HongdaChen.Anewgoldenbump
makingmethodforhighpowerLEDflipchip.ProceedingofSPIE,2008,6828:
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