个人简介

邓卓博士于2010年及2015年分别从香港大学物理学系获得本科和博士学位。随后他加入位于香港科技园的GPElectronicsLtd.任职研发工程师并从事电声产品的研发和量产工作。邓卓博士于2016年10月加入上海科技大学信息科学与技术学院，任职博士后研究员

研究领域

III-V化合物半导体及纳米结构（InAs/GaSb,InGaAs/GaAs等）的光学性质和载流子动力学 基于III-V化合物半导体的新型光电器件的设计、工艺及表征

研究领域主要包括III-V族化合物半导体的光学性质，及基于III-V族化合物半导体光电器件的设计、工艺和表征。

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[1]WeiChen*,ZhuoDeng*DaqianGuo,YaojiangChen,YuriyI.Mazur,YuriiMaidaniuk,GregoryJ.Salamo,HuiyunLiu,JiangWu,BaileChen,DemonstrationofInAs/InGaAs/GaAsQuantumDots-in-a-wellMid-waveInfraredPhotodetectorsGrownonSiliconSubstrate,IEEEJournalofLightwaveTechnology,accepted.(co-1stauthor) [2]Deng,Zhuo,Chen,Baile,Chen,Xiren,Shao,J,Gong,Qian,Huiyun,Liu,Wu,Jiang,Opticalpropertiesofberyllium-dopedGaSblayersgrownonGaAssubstrate,InfraredPhysics&Technology,90(2018)115-121. [3]JianHuang,DaqianGuo,WeiChen,ZhuoDeng,YinghaoBai,TinghuiWu,YaojiangChen,HuiyunLiu,JiangWu,BaileChen,Sub-monolayerquantumdotquantumcascademid-infraredphotodetector,AppliedPhysicsLetters,111(2017)251104. [4]Z.Deng,J.Q.Ning,Z.C.Su,S.J.Xu,Z.Xing,R.X.Wang,S.L.Lu,J.R.Dong,B.S.Zhang,H.Yang,StructuraldependencesoflocalizationandrecombinationofphotogeneratedcarriersinthetopGaInPsubcellsofGaInP/GaAsdouble-junctiontandemsolarcells,ACSAppliedMaterials&Interfaces,7(2015)690-695. [5]Z.Deng,R.X.Wang,J.Q.Ning,C.C.Zheng,S.J.Xu,Z.Xing,S.L.Lu,J.R.Dong,B.S.Zhang, H.Yang,SupertransversediffusionofminoritycarriersinGaxIn1?xP/GaAsdouble-junctiontandemsolarcells,SolarEnergy,110(2014)214-220