张紫辉 - 河北工业大学 - 电子信息工程学院

个人简介

教育经历 2010/01-2015/01，新加坡南洋理工大学，电子与电气工程学院，博士 2002/09-2006/06，山东大学，物理学院，理学学士学术经历 2015/07-至今，河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室微纳光电子与电磁技术创新研究所教授、博士生导师 2015/02-2015/07，新加坡南洋理工大学，电子与电气工程学院，研究员 2014/02-2015/01，新加坡南洋理工大学，电子与电气工程学院，项目研究员 (兼任) 2010/01-2015/01，新加坡南洋理工大学，电子与电气工程学院电子系，博士研究生

研究领域

氮化物半导体光电材料和器件：氮化物半导体材料外延生长、LED芯片工艺(正装芯片、倒装芯片和垂直芯片)、材料物理、器件物理和器件仿真。

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1. Z. -H. Zhang*, Y. Zhang, W. G. Bi, C. Geng, S. Xu, H. V. Demir, and X. W. Sun, “A charge inverter for III-nitride light-emitting diodes”, Appl. Phys. Lett., 2016, 108(13), 133502 (Highlighted by semiconductor-today in April of 2016). 2. Z. -H. Zhang*, Y. Zhang, W. G. Bi, C. Geng, S. Xu, H. V. Demir, and X. W. Sun, “On the hole accelerator for III-nitride light-emitting diodes”, Appl. Phys. Lett., 2016, 108(15), 151105. 3. Z. -H. Zhang*, Y. Zhang, W. G. Bi, H. V. Demir, and X. W. Sun, “On the internal quantum efficiency for InGaN/GaN light-emitting diodes grown on insulating substrates”, Phys. Status Solidi (A), 2016, 23(12), 3078 (Feature article, Front cover). 4. Z.-H. Zhang*, Y. Zhang, H. J. Li, S. Xu, C. Geng and W. G. Bi, “On the importance of the polarity for GaN/InGaN last quantum barriers in III-nitride based light-emitting diodes”, IEEE Photon. J., 2016, 8(6),8200307. 5. Y. P. Zhang#, Z. –H. Zhang# (#共同第一作者/authors of equal contribution), S. T. Tan, B. B. Zhu, S. P. Lu, N. Hasanov, X. Kang, X. W. Sun,and H. V. Demir，“Investigation of p-type depletion doping of InGaN/GaN-based light-emitting diodes”, Appl. Phys. Lett., 110, 033506 ( 2017). 6. Z. –H. Zhang*,Y. Zhang,W. G. Bi, H. V. Demir, and X. W. Sun, “Internal quantum efficiency for III-nitride based blue light-emitting diodes”, Book chapter for Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices (in press), Taylor & Francis Group. Editor: Wen Gang Bi. 7. Z. –H. Zhang*, Y. Zhang, X. W. Sun and W. G. Bi, “A hole accelerator for III-nitride light-emitting diodes”, Book chapter for Handbook for Solid-State Lighting and LEDs (in press), Taylor & Francis Group, Editor: Zhe Chuan Feng. 8. ZHANG Zi-Hui (张紫辉), TAN Swee Tiam, SUN Xiaowei, Hilmi Volkan DEMIR, “A Light-emitting device”, 11201408080U (新加坡专利，授权日期：2015年10月2日). 9. ZHANG Zi-Hui (张紫辉), TAN Swee Tiam, SUN Xiaowei, Hilmi Volkan DEMIR, “Light-emitting device”, US 9,362,445 B2 (美国专利，授权日期2016年6月7日). 10. ZHANG Zi-Hui (张紫辉), TAN Swee Tiam, SUN Xiaowei, Hilmi Volkan DEMIR, “Light-emitting device”, “A Light-emitting device”, TR2014 15497 B (土耳其专利，授权日期 2016年10月21日).