个人简介
2004/09 –，河北工业大学，信息工程学院微电子所，博士，讲师/副教授/教授
2001/09 – 2004/06，河北工业大学，材料学院信息功能材料所，硕士
1994/09 – 1998/06，河北工业大学，材料科学与工程系，学士
研究领域
微电子技术与材料；信息功能材料表面超精密加工及性能研究
近期论文
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1. FTIR Spectroscopy of high concentration Ge-doped Czochralski-Si，J.Crystal Growth 2004 第一作者 （SCI）
2. Distribution of Ge in High Concentration Ge-Doped Czochralski-Si Crystal，J.Crystal Growth 2004 第一作者 （SCI）
3. Method of surface treatment on sapphire substrate, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006, 16:732，第一作者 （SCI）
4. Dislocation of Cz-sapphire substrate for GaN growth by chemical etching method, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006, 16:187，第一作者 （SCI）
5. Removal rate and surface quality of the GLSI silicon substrate during the CMP process, Microelectronic Engineering, 2017, 168:76-81第二/通讯作者 （SCI）
6. Effect of a novel chelating agent on defect removal during post-CMP cleaning，Applied Surface Science，2016，378：239-244，第二/通讯作者 （SCI）
7. Bulk single crystal growth of SiGe by PMCZ method，Rare Metals 2003 第二作者 （SCI）
8. 非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷，稀有金属材料与工程，2006，35（10）: 1544-1547，第二作者SCI
9. Infrared measurement of Ge concentration in CZ–Si，J.Crystal Growth 2005 第三作者 （SCI）
10.Effect of surfactant on removal of particle contamination on Si wafers in ULSI Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006，16, s195-198，第三作者 （SCI）
11.Slurry and processing technique of CLBO crystal，Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006, 16：s692-695，第三作者 （SCI）
12.pH值对ULSI硅衬底抛光速率的影响, 功能材料, 2006，37：336，第一作者 （EI）
13.High precision finishing process for sapphire substrate surface，半导体学报，2007，25：48-51，第一作者 （EI）
14.Influence of temperature on chemical mechanical polishing quality of sapphire substrate, Semiconductor Technology, ISTC2007, p 337-342，第一作者 （EI）
15.Influence of surfactant on Si{111} etched surface，ICSICT2008，p1332，第一作者 （EI）
16.Study on CMP Mechanism and Technology of Sapphire Substrate for Photo-conducting Device，ISTC2009，p435,第一作者 （EI）
17.High Precision Finishing Technique of Sapphire Substrate Surface for Photoconducting Device，Materials Science Forum，2011，663-665：80-83，第一作者 （EI）
18.Growth and fundamental properties of SiGe single crystal，Advanced Materials Research，2010，129-131：139-142，第一作者 （EI）
19.Ultra precision Machining Technique of InSb Substrate Material for Detector Devices，Advanced Materials Research，2011，183-185，1137-1140，第一作者 （EI）
20.Influence of Nano abrasive on Chemical Mechanical ultra- precision machining of Sapphire Substrate Surfaces，Key Engineering Materials，2014，609-610，第一作者 （EI）
21.Achievement of non-selectivity barrier slurry by adding H3PO4 and its application in patterned wafers CMP，ICSICT，2012，第一作者 （EI）
22.Study on chemical mechanical ultra precision process technology of Aluminum Interconnected Line for ULSI，EMEIT 2012，p 1487-1490，第一作者 （EI）
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