个人简介
2001 山西大学 物理学国家基地 学士
2003 香港大学 硕士
2006 香港大学 博士
2008 香港科技大学 博士后
2012 美国阿肯色大学 研究助理教授
2012 上海大学 教授
任伟教授，上海市东方学者、启明星、曙光学者，香港大学物理系博士，曾任香港科技大学博士后和美国阿肯色大学研究助理教授。研究领域包括纳米科技、凝聚态物理、电子材料和器件、钙钛矿和石墨烯、量子电子输运、第一性原理计算研究等，至2018年共发表SCI论文100多篇，（包括3篇Nature子刊，10篇Phys. Rev. Lett.，29篇Phys. Rev. B，1篇Adv. Mater.，3篇Adv. Funct. Mater.等）。解释了铁电畴壁应变效应、极化涡旋结构调控、自旋霍尔电导涨落等科学问题。担任Scientific Reports编委和Nature Materials、PRL等著名国际期刊的评审专家。主持国家自然科学基金面上项目2项、上海市东方学者特聘教授（跟踪计划）2项、上海市教委曙光计划、上海市科委启明星等项目，参与负责国家科技部青年973、上海市材料基因组工程。在上海大学主办了EEMD2014新兴电子材料和器件物理国际研讨会等十个学术会议。2014年9月主持成立上海大学量子与分子结构国际中心ICQMS并担任执行主任。研究组与国际接轨、基金充足、课题丰富，在材料、物理、化学、电子工程、纳米科技和高性能计算等领域展开前沿研究。
主要奖励和荣誉：
2015年 上海市东方学者跟踪计划
2014年 科技部青年973项目
2013年 上海市启明星
2012年 上海市曙光学者
2011年 上海市东方学者
2007年 上智大学教学科研奖
2006年 长江集团澳大利亚志奋奖
2000年 全国数学建模一等奖
2000年 山西大学栋梁杯足球亚军
研究领域
1. 利用世界最快超级计算机开展高性能计算；
2. 二维材料和钙钛矿的材料物理计算学；
3. 基于量子力学的第一原理计算；
4. 材料数据库和机器学习。
近期论文
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Ren, W.; Yang, Y.; Diéguez, O.; Íñiguez, J.; Choudhury, N.; Bellaiche, L., Ferroelectric domains in multiferroic BiFeO 3 films under epitaxial strains. Phys. Rev. Lett. 2013, 110 (18), 187601.
Ren, W.; Bellaiche, L., Prediction of the magnetotoroidic effect from atomistic simulations. Phys. Rev. Lett. 2011, 107 (12), 127202.
Ren, W.; Qiao, Z.; Wang, J.; Sun, Q.; Guo, H., Universal spin-Hall conductance fluctuations in two dimensions. Phys. Rev. Lett. 2006, 97 (6), 066603.
Yang, Y.; Xiang, H.; Zhao, H.; Stroppa, A.; Zhang, J.; Cao, S.; Íñiguez, J.; Bellaiche, L.; Ren, W., Improper ferroelectricity at antiferromagnetic domain walls of perovskite oxides. Physical Review B 2017, 96 (10), 104431.
Kennedy, B. J.; Zhou, Q.; Zhao, S.; Jia, F.; Ren, W.; Knight, K. S., Low-temperature structure and the ferroelectric phase transitions in the CdTi O 3 perovskite. Physical Review B 2017, 96 (21), 214105.
Zhou, W.; Gao, H.; Zhang, J.; Fang, R.; Song, H.; Hu, T.; Stroppa, A.; Li, L.; Wang, X.; Ruan, S., Lattice dynamics of Dirac node-line semimetal ZrSiS. Physical Review B 2017, 96 (6), 064103.
Zheng, X.; Zhang, M.; Shi, X.; Wang, G.; Zheng, L.; Yu, Y.; Huang, A.; Chu, P. K.; Gao, H.; Ren, W., Fluorinated Graphene in Interface Engineering of Ge‐Based Nanoelectronics. Advanced Functional Materials 2015, 25 (12), 1805-1813.
Wu, Y.; Xia, W.; Gao, W.; Ren, W.; Zhang, P., Engineering the Near-Edge Electronic Structure of SnSe through Strains. Phys. Rev. Appl. 2017, 8 (3), 034007.
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