个人简介
2006年6月，武汉大学物理科学与技术学院应用物理专业，获学士学位。
2011年6月，武汉大学物理科学与技术学院，获理学博士学位。
2011年7月，太原理工大学物理与光电工程学院工作。
研究领域
半导体材料缺陷性质对半导体材料性能影响显著，研究半导体材料中的缺陷性质极其运动规律对半导体材料的生产应用具有重要意义。正电子湮没谱技术是一种研究材料微结构的灵敏探针，可以用来研究半导体材料的缺陷大小、浓度、电荷态等信息。
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1. Li Hui, Shao Yundong, Zhou Kai, Pang Jingbiao, Wang Zhu. A simplified digital positron lifetime spectrometer based on a fast digital oscilloscope. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A 2011,625,29-34
2. Li Hui, Zhou Kai, Pang Jingbiao, Shao Yundong, Wang Zhu, Zhao Youwen. Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation and photoluminescence. Semiconductor Science and Technology.2011,26,075016.
3. Li Hui,Wang Zhu Zhou Kai, Pang Jingbiao, Ke Junyu, Zhao Youwen. Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence. Journal of Optoelectronics and Advanced materials. 2009,11,1122-1126
4. Li Hui, Ke Junyu, Pang Jingbiao, Wang bing, Wang Zhu.Defects in Electron Irradiation Te-doped GaSb Studied by Positron Lifetime Spectroscopy. Mater. Sci. Forum 2009, 607, 140-142.
5. 李辉,周凯,王柱,陈志权,王少阶.一种基于Windows界面的正电子湮没谱分析软件包.《原子核物理评论》.2011年第28卷第3期，页：59-64.
6. 李辉, 柯君玉，庞锦标，汪兵，戴益群，王柱.重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究.《武汉大学学报（理学版）》2007年第53卷，第05期，页：585-588.
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