个人简介
教育经历
1994.9-1998.7 内蒙古大学物理学专业学士学位
1998.9-2001.7 内蒙古大学理论物理专业硕士学位
2001.9-2005.7 内蒙古大学理论物理专业博士学位
工作经历
2001.7 –现在 内蒙古大学物理系 讲师(2001),副教授(2006),教授(2010)
2005.9-2007.6 中科院半导体研究所博士后
2009.3-2009.7 香港城市大学高级副研究员
2012.9-2013.9 美国劳伦斯伯克利国家实验室
教学
本科生“力学”（春季学期）
本科生“固体物理”(秋季学期)
培养研究生情况
现有在读博士研究生3人，硕士研究生5人，每年拟招博士生1人，硕士生1-2人。
目前主持的各类科研项目：
1. 主持国家自然科学基金 “层状半导体结构中自旋极化隧穿的动力学研究”起止时间：2009年1月- 2011年12月。
2. 主持国家自然科学基金“隧穿场效应晶体管中齐纳隧穿的理论研究” 起止时间：2014年1月- 2018年12月
获奖、荣誉
1. 2005年“热物理”系列课程教学改革与建设，内蒙古自治区教学成果二等奖。
2. 2009年“介观系统电子—声子相互作用和隧穿问题的理论研究，内蒙古自治区自然科学奖一等奖。
3. 2009年“国家精品课程改革与建设”获内蒙古自治区教学成果一等奖。
4. 2009年10月获第七届内蒙古自治区青年科技奖。
5. 2011年6月内蒙古自治区高等学校教坛新秀奖。
6. 2011年内蒙古大学励学奖。
7. 2013年“创新知识体系的热物理理论和通识课程改革实践与开放共享”，内蒙古自治区教学成果一等奖。
8. 2014年获内蒙古自治区首届科技标兵称号。
9. 2014年“创新知识体系的热物理理论课程改革实践与开放共享”，国家教学成果二等奖
10. 2018年“国家特色物理学专业建设与创新人才培养”荣获内蒙古自治区教学成果一等奖。
11. 2018年获宝钢优秀教师特等奖提名奖。
研究领域
凝聚态物理 ，计算物理
目前主要研究：
1. 介观体系中的自旋极化输运现象
2. 半导体量子结构的输运性质及其电子态
3. 微电子器件模拟
近期论文
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1. X. D. Lv , F. Y. Li, J. Gong*, Z. F. Chen，The dimensional and hydrogenating effect on the electronic properties of ZnSe nanomaterials: a computational investigation， Physical Chemistry Chemical Physics，20（37）24453-24464（2018）
2. S. L. Su, J. Gong*, Z. Q. Fan,Tunnable rectifying performance of in-plane metal-semiconductor junctions based on passivated zigzag phosphorene nanoribbons，RSC Advance 8（55）31255-31260（2018）
3. J. Lu , Z. Q. Fan, J. Gong*, et al. Enhancement of tunneling current in phosphorene tunnel field effect transistors by surface defects, Physical Chemistry Chemical Physics, 20,5699(2018).
4. J. Chen, J. Gong*, Theoretical investigation of the phonon-assisted tunneling in TFET with an indirect band gap semiconductor , Superlattices and Microstructures, 111, 319-325(2017).
5. J. Lu, Z. Q. Fan, J. Gong* and X. W. Jiang, Ab initio performance predictions of single-layer In-V tunnel field-effect transistors , Physical Chemistry Chemical Physics, 19, 20121-20126 (2017).
6. J. Lu, Z. Q. Fan, J. Gong* and X. W. Jiang, Ab initio simulation study of defect assisted Zener tunneling in GaAs diode , Aip Advances, 7, 065302 (2017).
7. X. W. Jiang, J. Lu, J. W. Luo, S. S. Li, J. Gong and L. W. Wang, Ab initio simulation on mono-layer MoS2 tunnel FET: Impact of metal contact configuration and defect assisted tunneling, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology IEEE, 486-488 (2016).
8. X. W. Jiang, J. Gong, N. Xu, S. S. Li, J. F. Zhang, Y. Hao, and L. W. Wang, Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects, Applied Physics Letters, 104, 023512 (2014).
9. M. Li, J. Chen, and J. Gong*, Dwell time and escape tunneling in InAs/InP cylindrical quantum wire, Acta Phys. Sin., 63, 237303 (2014).
10．R. Q. Wang, J. Gong*, J. Y. Wu and J. Chen, Time of spin-polarized tunneling through a symmetric double-barrier quantum well structure , Acta Physica Sinca, 62,087303 (2013).
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15．J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Dynamics of spin-dependent tunneling through a semiconductor double-barrier structure [J], Journal of Applied Physics, 102(7), 073718 (2007).
16．J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Tunneling time of electronic wave packet through a parabolic quantum well with double barrier [J], Physica Status Solidi (b), 244(6), 2064-2071 (2007).
17．J. Gong, F. H. Yang and S. L. Feng, Coherent tunneling in coupled quantum wells under a uniform magnetic field [J], Chinese Physics Letters, 24(8), 2383 (2007).
18．J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon assisted tunneling in a parabolic quantum well with double barriers [J], Journal of Applied Physics, 100(2), 023707 (2006).
学术兼职
1. 教育部教学指导委员会物理学类专业教学指导委员会委员（2018-2022）。
2. 内蒙古自治区物理学会秘书长。
3.计算物理学会理事。
4. 全国高等学校固体物理研究会常务理事。
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