蔡让岐 - 兰州大学 - 物理科学与技术学院

个人简介

1987年7月兰州大学物理系理论物理专业毕业，获理学学士学位；1993年7月兰州大学物理系凝聚态物理专业毕业，获理学硕士学位；2002年7月兰州大学物理系凝聚态物理专业毕业，获理学博士学位。1998-2002年间，从事等离子增强化学气相沉积（PECVD）纳米金刚石薄膜的制备及场发射特性研究工作。2004-2005年间，日本国东京工业大学大学院平田研究室访问学者，从事金刚石薄膜生长及场发射特性研究工作。1987-1993在西北师范大学物理系工作，1993-至今在兰州大学物理学院从事教学及科研工作。

研究领域

1. 纳米金刚石薄膜及相关碳薄膜材料的制备 2. 纳米金刚石薄膜及相关碳薄膜的场电子发射特性及机理

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1．陈光华，蔡让岐，宋雪梅，贺德衍，“多孔硅衬底微波CVD 金刚石薄膜的制备及其场电子发射”，半导体学报，第25卷第3期，2004.3 2．G.H. Chen, R.Q. Cai, X.M. Song, J.X. Deng, “ Preparation and field electron emission of microcrystalline diamond deposited on a porous silicon substrate ”, Materials Science and Engineering B107 (2004)233–236 3．蔡让岐，陈光华，宋雪梅，邢光建，马贞健，贺德衍，“纳米金刚石涂层上化学气相沉积金刚石薄膜的场电子发射” ，科学通报，第48卷第12期，2003.6 4．CAI Rangqi, CHEN Guanghua, SONG Xuemei, XING Guangjian, FENG Zhenjian & HE Deyan, “Field electron emission of diamond films on nanocrystalline diamond coating by CVD method”, Chinese Science Bulletin, Vol. 48 ( 2003 ) 1282-1285 5．Rangqi Cai, Yatao Zhang, Zhongshi Yang, Deyan He, Guanghua Chen, “Preparation of nanocrystalline diamond field emitters using porous silicon as host matrixes”, International Journal of Modern Physics B, Vol. 6 & 7 (2002) 998-1002 6. X. C. Wu, R. Q. Cai, P. X. Yan, W. M. Liu, J. Tian , “ SiCN thin film prepared at room temperature by r.f. reactive sputtering ”, Applied Surface Science, Vol.185 (2002) 262-266