宁洪龙 - 华南理工大学 - 发光材料与器件国家重点实验室

个人简介

04年博士毕业于清华大学，长期致力于有源信息显示薄膜晶体管阵列材料及结构研究。原为韩国三星显示公司首席科学家，并担任韩国三星显示知识产权专利审查专家组委员，获得韩国三星六西格玛体系绿带认证；13年回国加入发光材料与器件国家重点实验室的显示与驱动研究团队，目前为广东省第三批创新科研团队核心成员、华南理工大学第四批“杰出人才与团队引进计划”成员。在信息显示技术相关领域薄膜物理气相沉积、薄膜化学气相沉积、化学及离子蚀刻、半导体结构图形化、新型氧化物半导体材料开发、晶体管结构设计、显示光电特性优化、异种材料界面反应和光电材料印刷等方面研究上积累了大量的经验；曾作为项目负责人多次主持三星显示公司世界级尖端研发项目，制备出多种新材料和新结构的高性能信息显示器件,并在实际生产中得到广泛应用；已发表研究论文近60篇，其中被SCI、EI和ISTP检索40余篇，已申请或授权国内外发明专利近80项；现担任Journal of Materials Chemistry C、Ceramics International和IEEE Electron Device Letters等学术期刊的审稿人。主讲本科课程：《固体物理》；研究生课程：《薄膜晶体管技术与应用》 1) 2006年与C.O. Jeong合作开发三星显示的纯铝电极量产LCD 2) 2007年开发世界第一台化学镀Cu栅极15英寸液晶显示器 3) 2008年与J. H. Song合作开发了世界第一台2微米Cu电极液晶显示器 4) 2008年与J. H. Lee合作开发了世界第一台a-IGZO氧化物半导体15英寸液晶显示器 5) 2009年与S. H. Cho合作开发了DPSS激光区域晶化LTPS行驱动集成窄边框14.1英寸量产LCD 6) 2009年开发世界第一台负感光有机物平坦化厚Cu电极的15英寸液晶显示器 7) 2010年主持开发了世界第一台碳纳米管柔性像素电极17英寸液晶显示器 8) 2013年合作开发了中国第一款全彩色金属氧化物半导体柔性AMOLED显示屏

研究领域

薄膜晶体管材料与结构 (TFT Materials & Structure) 氧化物半导体和低温多晶硅 (Oxide Semiconductor & Low Temperature Poly Silicon Backplane) 信息显示的背板高导互连 (Backplane High-conductivity Interconnect in AMFPDs) 新型触摸屏结构和工艺 (New Touch Screen Panel Structure & Process) 印刷显示用纳米材料 (Nanometer Materials Application in Printable Display) 薄膜器件成形和失效机理 (Thin Film Devices Forming & Failure Mechanism) 显示用玻璃和柔性基板 (Glass & Flexible Substrate in Display) 电子材料与封装技术 (Electronic Materials & Packaging Technology)

近期论文

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1) Extremely high-efficiency and ultrasimplified hybrid white organic light-emitting diodes exploiting double multifunctional blue emitting layers, Light: Science & Applications, 5, 2016, e16137 (SCI, IF:14.603) 2) Highly conductive AZO thin films obtained by rationally optimizing substrate temperature and oxygen partial pressure, Molecular Crystals and Liquid Crystals, Accepted (SCI, IF:0.493) 3) Enhanced adhesion and field emission of CuO nanowires synthesized by simply modified thermal oxidation technique, Nanotechnology, 27, 2016, 395605 (SCI, IF:3.573) 4) Effects of Rare-Earth Element Dopants in High-Mobility InOx-Based Thin Film Transistors, IEEE Electron Device Letters , 37(9), 2016,1139-1142 (SCI, IF:2.75) 8) 薄膜晶体管中Al2O3绝缘层的室温制备与研究, 中国真空学会2016学术年会, 482 9) 基于喷墨打印的TFT器件电极形貌控制, 中国真空学会2016学术年会, 481 10) 基于紫外光固化的喷墨打印金属布线边缘调控, 中国真空学会2016学术年会, 453 11) 一种低电阻率铜铬合金薄膜的制备, 中国真空学会2016学术年会, 414 12) Direct patterning of silver electrodes with 2.4μm width channel for TFT piezoelectric inkjet printing, CIOP 2016,2016, 1627 13) Room Temperature Preparation of RF Magnetron Sputtered Al2O3/HfO2 Dielectric Layers, CIOP 2016,2016, 1793 14) The application of electrode ink-jet printing in TFTs, CIOP 2016,2016, 1835 15) Characteristics of Transparent Si-Doped SnO2 Thin Films, ICSM 2016, 2016, W-3-41 16) Research on Cu-Cr alloy bus line in AOS TFT, ICSM 2016, 2016, M-4-66 17) Droplets impinging Model for the Limited Channel Length of Inkjet Printed Thin Film Transistors, ICSM 2016, 2016, M-9-21 18) Research of PLD Al2O3/AZO Multilayers, ICSM 2016, 2016, W-3-49 19) Effect of Post Treatment for Cu-Cr Source/ Drain Electrodes on a-IGZO TFTs, Materials, 9, 2016, 623 (SCI, IF:2.728) 20) Flexible AMOLED based on Oxide TFT with High Mobility, Society for Information Display 2016, 2016, 641-643 21) High-Performance Doping-Free Hybrid White Organic Light-Emitting Diodes: the Exploitation of Ultrathin Emitting Nanolayers (< 1 nm)，Nano Energy，Nano Energy, 26, 2016, 26-36 (SCI, IF:10.325) 22) A low-power high-stability flexible scan driver integrated by IZO TFTs, IEEE Transactions on Electron Devices, 63(4), 2016, 1779-1782 (SCI, IF:2.47) 23) High-performance back-channel-etched thin-film transistors with amorphous Si-incorporated SnO2 active layer, Applied Physics Letters, 108, 2016, 112106 (SCI, IF:3.3)