个人简介
姚斌,男,工学博士,吉林大学教授,博士生导师,中国科学院“百人计划”入选者,吉林省有突出贡献中青年专业技术人才。1983年7月在吉林师范大学获学士学位,1988年7月在吉林大学获硕士学位,1995年7月在中国科学院金属研究所获博士学位。1999-2002年在新加坡国立大学开展合作研究工作。曾针对非晶合金机械晶化、高压下过渡金属氮化物和B-C-N化合物制备中存在的关键科学和技术问题,利用机械球磨与高压技术相结合开展了研究工作。通过引入局域碰撞压力,合理解释了非晶合金机械晶化现象,利用机械球磨细化和非晶化的BN为固体N源和高压技术,合成出Fe-N新相和B-C-N化合物,为金属氮化物的制备提供了新途径。研究成果获得2002年教育部提名国家科学技术奖自然科学一等奖(第三获奖人);在ZnO半导体p型掺杂及其发光和探测光电子器件制备和性能的研究工作中,针对ZnOp型掺杂困难的关键科学问题,创新采用Li,N共掺的方法,制备出p型ZnO,提高了ZnO的p型导电性能及其同质p-n结电致发光的稳定性和可重复性,研究成果获2015年吉林省自然科学奖一等奖(第三获奖人);目前主要开展Cu2ZnSnS4基薄膜太阳电池的制备和性能的研究工作。在教学工作上,长期以来承担本科生和研究生的教学和培养工作,是国家级精品课近代物理实验主讲教师和教材编写人之一,获吉林省高等教育教学成果奖三等奖一项(第四获奖人);目前,已培养博士后1人,博士18人,硕士22人。在Adv, Mater., Appl. Phys. Lett. 等SCI期刊上发表论文100余篇,他引千余次;获授权中国发明专利8项;作为项目负责人,完成或正在进行973子课题一项,国家自然科学基金重点项目一项,国家自然科学基金面上项目五项;国际合作项目一项,教育部博士点基金博导类项目二项、优先发展领域项目一项,教育部优秀青年教师基金项目一项,吉林省自然科学基金二项。
研究领域
宽禁带薄膜半导体发光和探测
薄膜太阳能电池制备物理与技术
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1. R.J. Liu, Y.F. Li, B. Yao, Z.H. Ding, Y.H. Jiang, L. Meng, R. Deng, L.G. Zhang, Z.Z. Zhang, H.F. Zhao, L. Liu,Shallow Acceptor State in Mg-Doped CuAlO2 and Its Effect on Electrical and Optical Properties: An Experimental and First-Principles Study, ACS Applied Materials & Interfaces, 9(14), 12608-12616(2017). 2. Z.Y. Xiao, B. Yao, Y.F. Li, Z.H. Ding, Z.M. Gao, H.F. Zhao, L.G. Zhang, Z.Z. Zhang, Y.R. Sui, G. Wang, Influencing Mechanism of the Selenization Temperature and Time on the Power Conversion Efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)(4)-Based Solar Cells, ACS Applied Materials & Interfaces, 8(27), 17334-17342(2016). 3. G. Yang, Y. F. Li, B. Yao, Z.H. Ding, R. Deng, X. Fang and Z. P. Wei, Alternative Spectral Photoresponse in a p‑Cu2ZnSnS4/n‑GaN Heterojunction Photodiode by Modulating Applied Voltage,ACS Appl. Mater. & Interfaces 7, 16653−16658(2015). 4. B.Y. Zhang, B. Yao, Y.F. Li, A.M. Liu, Z.Z. Zhang, B.H. Li, G.Z. Xing, T. Wu, X.B.Qin, D.X. Zhao, C.X. Shan, and D.Z.Shen, Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism in Li-N codoped ZnO thin films , Applied Physics Letters, 99(18), 182503(2011). 5. H. Zhu, C.X. Shan, B. Yao, B.H. Li, J.Y. Zhang, Z.Z. Zhang, D.X. Zhao, D.Z. Shen, X. W. Fan,Y.M. Lu, and Z.K. Tang, Ultralow-Threshold Laser Realized in Zinc Oxide , Advanced Materials 21:1613(2010) 6. H.L. Pan, B. Yao, T. Yang, Y. Xu, B.Y. Zhang, W.W. Liu, and D.Z. Shen, Electrical properties and stability of p-type ZnO film enhanced by alloying with S and heavy doping of Cu, Applied Physics Letters,97,142101 (2010). 7. B. Y. Zhang,B. Yao, Y. F. Li, Z. Z. Zhang, B. H. Li, C. X. Shan, D. X. Zhao, and D. Z. Shen,Investigation on the formation mechanism of p-type Li–N dual-doped ZnO,Applied Physics Letters, (2010),97,222101. 8. R.Deng, B.Yao, Y.F.Li, Y.M.Zhao, B.H.Li, C.X.Shan, Z.Z.Zhang, D.X.Zhao, J.Y.Zhang, D.Z.Shen, and X.W.Fan, X-ray photoelectron spectroscopy measurement of n-ZnO/p-NiO heterostructure valence-band offset, Applied Physics Letters,94,022108(2009). 9. Y. F. Li, B. Yao, Y. M. Lu, Z. P. Wei, Y. Q. Gai, C. J. Zheng, Z. Z. Zhang, B. H.Li, D. Z. Shen, X. W. Fan, Z. K. Tang, Realization of p-type conduction in undoped MgZnO thin films by controlling Mg content, Appl. Phys. Lett. 91, 021915 (2007). 10. C. X. Cong, B. Yao, G. Z. Xing, Y. P. Xie, and L. X.Guan,B. H. Li, X. H. Wang, Z. P. Wei, Z. Z. Zhang, Y. M. Lv, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Control of structure, conduction behavior, and band gap of Zn1−xMgxO films by nitrogen partial pressure ratio of sputtering gases, Appl. Phys. Lett. 89, 262108(2006).