余国义 - 华中科技大学 - 光学与电子信息学院

个人简介

学习工作经历： 2007.9至今华中科技大学光学与电子信息学院担任教师 2007.2 ~ 2009.09华中科技大学计算机学院担任博士后研究工作 2003.6 ~ 2006.12华中科技大学电子科学与技术系获得工学博士学位 2000.6 ~ 2003.6 华中科技大学电子科学与技术系获得工学硕士学位 1996.9 ~ 2000.6 华中科技大学电子科学与技术系获工学学士学位

研究领域

主要研究方向是混合信号电路设计、传感器信号检测与处理和穿戴式集成系统研究。感兴趣的研究领域包括：穿戴式电子系统、非临床医疗信息器械、信息化管理集成平台等。

近期论文

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[1] Yu Guoyi, Deng Yelei, Zou Xuecheng and Zheng Zhaoxia. A FVF LDO Regulator with Damping-Factor-Control Frequency Compensation for SOC Application.ICSICT-2014, Guilin China. p.1362-1364. 2014. [2] Yang Dan, Yu Guoyi*, Zou Xuecheng, Deng Yelei, Zhong Jianfu. The Design and Verification of a Novel LDPC Decoder with High-efficiency.14thISIC-2014,Marina Bay Sands,Singapore. P.256-259. 2014. [3] Yu Guoyi, Zou Xuecheng, Zhang Le. A Low-noise High-gain Trans-impedance Amplifier with High Dynamic Range in 0.13μm CMOS.RFIT-2012. Resorts World sentosa,Singapore. P.37-40. 2012. [4] Zhou Yefeng, Yu Guoyi*, Zheng Meijun, Zhang Le. Design of High-performance Transconductance Error Amplifier for DC-DC Converter. MEC-2011. JiLin, China. P.1352-1354. August, 2011. [5] Yu Guoyi, Zou Xuecheng. A novel low-voltage high precision current reference based on subthreshold MOSFETs. J. of Zhejiang University: Science A.Vol.8 (1), p. 50 - 55. August , 2011. [6] Yu Guoyi, Zou Xuecheng. A novel current reference based on subthreshold MOSFETs with high PSRR. Microelectronics Journal. V39(12), P. 1874–1879. December 2008.