个人简介
教育与科研经历
2002.09-2006.07
学士（电子科学与技术），天津大学
2006.09-2011.01
博士（物理电子学），中国科学院半导体研究所
2011.02-2012.12
博士后，德国莱布尼茨固态和材料研究所 （IFW Dresden）
2013.01-2015.03
聘期制科学家，德国莱布尼茨固态和材料研究所
2015.04-2016.06
高级研究员，奥地利林茨大学半导体和固体物理研究所
2016.07-至今
中国科学技术大学 特任研究员/特任教授
研究领域
量子信息材料和器件，固态量子光源(单光子源&纠缠光子源)，超导量子计算机芯片材料，单电子/单空穴器件，分子束外延，材料与器件物理
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1. H. Huang, R Trotta, Y.H. Huo*, et al (2017) Electrically-pumped wavelength-tunable GaAs quantum dots interfaced with rubidium atoms. ACS Photonics 4, 868-872.
2. YH Huo*, V Křápek, OG Schmidt, A Rastelli (2017) Spontaneous brightening of dark excitons in GaAs/AlGaAs quantum dots near a cleaved facet. Phy. Rev. B 95, 165304.
3. D Huber, M Reindl, YH Huo et al (2017) Highly indistinguishable and strongly entangled photons from symmetric GaAs quantum dots. Nature Communications 8, 15506
4. YH Huo*, BJ Witek, S Kumar, et al. (2014) A light-hole exciton in a quantum dot. Nature Physics 10, 46-51.
5. J Zhang, YH Huo*, A Rastelli, et al. (2014) Single Photons On-Demand from Light-Hole Excitons in Strain-Engineered Quantum Dots. Nano Letters 15, 422-427.
6. YH Huo*, V Křápek, A Rastelli, OG Schmidt (2014) Volume dependence of excitonic fine structure splitting in geometrically similar quantum dots. Phys. Rev. B 90, 041304.
7. YH Huo*, A Rastelli, OG Schmidt (2013) Ultra-small excitonic fine structure splitting in highly symmetric quantum dotson GaAs (001) substrate. Appl. Phys. Lett. 102, 152105
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