张波 - 电子科技大学 - 电子科学与工程学院

个人简介

教育背景 1985.09－1988.04 电子科技大学，半导体专业，硕士学位 1981.09－1985.07 北京理工大学，半导体专业，学士学位工作履历 1988.05－1996.05 电子科技大学微电子研究所，任助教、助研、副教授 1996.05－1999.11 美国Virginia理工大学，任Visiting Professor 1999.11－2001.11 电子科技大学微电子科学与工程系，任副教授 2000.07－2001.11 电子科技大学微电子科学与工程系，教授、系主任助理 2011.11－2015.12 电子科技大学微电子与固体电子学院副院长，教授 2014.07－现在电子科技大学集成电路研究中心主任，教授学术兼职 2004.07－任信息产业科技发展“十一五”计划和2020年中长期规划（纲要）研究与编制工作集成电路技术

研究领域

研究内容涵盖分立器件（从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，从硅基到SiC和GaN）、可集成功率半导体器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成电路（含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等）。

近期论文

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[1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices, v 61, n 2, p 525-532, February 2014 [2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices, v 62, n 9, p 2933-2939, September 1, 2015 [3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016, 63(9): 3804-3807 [4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016, VOL. 31, NO. 6 [5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics, v 26, n 2, p 638-646, 2011. [6].A 1.6-V 25-μA 5-ppm/°C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, v 59, n 4, p 677-84, April 2012 [7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Vol.21, No.9, pp. 1747 - 1751, Sept. 2013. [8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(2):165-168. [9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters, 2015, 37(2):1-1. [10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters,v 37,n 10,October 2016