孟宪权 - 武汉大学 - 物理科学与技术学院

个人简介

武汉大学硕士研究生毕业，中国科学院半导体研究所博士研究生毕业。参加了国家重大计划研究项目863和973有关量子点材料和器件的研究以及量子点子带间跃迁红外激光器材料和器件研究。Applied Surface Science及半导体学报的论文审稿人。承担了本科生近代电子材料、电子线路实验课程，研究生电子材料与器件课程的教学工作。获武汉市科技进步一等奖一次。

研究领域

（1）半导体一维纳米材料及光电探测器研究（2）半导体激光器及发光二极管研究（3）半导体物理（凝聚态物理）（4）电子线路设计

近期论文

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（1） Qinwei An, Xianquan Meng * and Pan Sun ，High performance fully nanostructured photodetector with single-crystalline CdS nanotubes as active layer and very long Ag nanowires as transparent electrodes ACS Applied Materials & interface, 7（2015）22941-22952，SCI一区, 影响因子6.723 （2） Su Mao, Yihe Liu, Pengan Li, Xianquan Meng ∗ Fabrication and comparative sudy of vertically-grown and horizontally-dispersed fully nanowire-based photodetectors . Appl. Surf. Sci., 359，（2015） 496-499. SCI二区，影响因子 2.711 （3）Qinwei An, Xianquan Meng *, Guangrui Liu, Lifang Hong, Annealing of the superlong CdSnanotubes for enhanced performance in fully nanostructure dphotodetector， Materials Letters ，161，(2015)，751–754, SCI二区，影响因子 2.489 （4） Yihe Liu, Pan Sun, Xianquan Meng * ， A GaN nanowire-based photodetector with Ag nanowires as transparent electrodes. IEEE Photonic. Tech. Lett. （2016）28(1), 23-26. SCI二区，影响因子 2.110 （5） Yihe Liu and Xianquan Meng *, The controllable growth of GaN nanostructures with various morphologies J. Mater. Sci.: Mater. El., 2015, 27(2) , 1-7 . SCI三区，影响因子 1.569 （6） Pan Sun , Yihe Liu , Xiang Wan , Xianquan Meng *, Rui Su and Sheng Yu , Synthesis of long Ag nanowires and its application in GaN nanowires photodetector as transparent electrodes . J. Mater. Sci.: Mater. El., 26(9)，（2015） 6787-6792.SCI三区，影响因子 1.569 （7） Yihe Liu, Xianquan Meng *, Xiang Wan, Huihui Huang, Hao Long and Guojia Fang ， Synthesis and field emission studies of tower-like GaN nanowires ， Nanoscale Research Letters 9（ 2014 ） 607 ， SCI二区，影响因子 2.779 （8） Qinwei An, Xianquan Meng* , Lei Zhang, Yuanjia Zhao ， Controllable growth of single crystalline CdS nanotubes by thermal evaporation Materials Letters ， 136 (2014) 55–58 SCI二区，影响因子 2.489 （9） Pan Sun ， Yanchen Li ， Xianquan Meng* ， Sheng Yu ， Yihe Liu ， Fengqi Liu ， Zhanguo Wang The magnetic field effect on optical properties of Sm-doped GaNthin films J Mater Sci: Mater Electron ， 25 (2014) 2974–2978 SCI三区，影响因子 1.569 （10） Sun, Pan; Xue, Fei; Yu, Sheng; Meng, Xianquan* ; Liu, Yihe; Zhang, Lei ， Hydrothermal Synthesis of Ce-Doped CdSe/ZnS Nanostructure for Highly Efficient Green and Red Emitting ， Nanoscience and Nanotechnology Letters, 6 （ 2014 ） 927-931 , SCI四区，影响因子 1.431 （11）Y. H. Liu, X. Q. Meng *, S. Yu, F. Xue, X. Wan，The optical and structural study of a blue emitting structure with dual InGaN/GaN multiple quantum wells, Optics and spectroscopy, 116（ 2014 ） 91–95, SCI四区，影响因子 0.723 （12）Yanchen Li, Sheng Yu, Xianquan Meng *, Yihe Liu, Yonghe Zhao,Feng qi Liu and ZhanguoWang ，The effect of magnetic ordering on light emitting intensity of Eu-doped GaN， J. Phys. D: Appl. Phys. 46 (2013) 215101 SCI二区，影响因子 2.721 （13）W. J. Liu, X. Q. Meng *, Yi Zheng, Wei Xia, Synthesis and photoluminescence properties of ZnO nanorods and nanotubes， Applied Surface Science，257（2010）,677-679，SCI二区，影响因子 2.711 （14）Wei Liu, X. Q. Meng *, H. X. Qiao, and Rui-Hua Xie，Investigation of Electronic Energy Levels in InAs Quantum Dot with Shape of Lens by Using B-Spline Technique， J. Comput. Theor. Nanos. Vol.6, （2009）354-358, SCI四区，影响因子1.343 （15）Dong Wang, X. Q. Meng * et al. Effect of electric field and annealing on the morphology and crystallinity of hydrothermally grown ZnO nanostructures, Physica E-low-dimensional system & nanostructures, 40 (2008) 852, SCI三区，影响因子2.000 （16） X. Q. Meng , Z. Q. Chen, P. Jin, et al. Defects around Self-organized Quantum Dots Measured by Slow Positron Beam, Applied Physics Letters 91 (2007), 093510-093512 SCI二区，影响因子3.302 （17） X. Q. Meng, P. Jin, Z. M. Liang, F. Q. Liu, Z. G. Wang, and Z. Y. Zhang ，Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission， J. Appl. Phys. , 108（2010）, 103515-103519， SCI三区，影响因子2.183 （18） X. Q. Meng , B. Xu, P. Jin, X. L. Ye,etal. Dependence of Optical Properties on the Structure of Self-Organized InAs Quantum Dots Emitting Near 1.3mm, Journal of Crystal Growth 243 (2002) 432-438， SCI三区，影响因子1.698