詹华瀚 - 厦门大学 - 物理科学与技术学院

个人简介

个人简历 1986.09-1990.07 成都科技大学(现四川大学)应用物理系, 应用物理专业, 获理学学士 1990.08-1993.08 福建大田电力公司, 计算机助理工程师 1993.09-1998.07 厦门大学物理系,半导体物理专业, 获理学博士 1998.09-1999.10 香港科技大学物理系, 博士后/访问学者 2000.05-2001.04 日本早稻田大学材料技术研究所,电子电气工学和计算机科学系,博士后/研修助手 2001.08-2003.08 荷兰艾因霍芬大学COBRA研究所, 应用物理系, 博士后 2003.09-至今厦门大学物理系, 副教授

研究领域

半导体物理

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1.Formation of GaAs hollow above InAs quantum dots. SPIE, 74-77, 2004 2.Self-assembled InAs quantum dots formed by molecular beam epitaxy at low temperature and postgrowth annealing. J. Appl. Phys.2003,93,5953. 3.Low-temperature growth of self-assembled InAs dots on GaAs by molecular beam epitaxy. J. Crystal Growth.2003,251,135. 4.MBE/MEE Growth and Characterization of C60 Doped GaAs. J. Crystal Growth.2001,227-228,93.