李成 - 厦门大学 - 物理科学与技术学院

个人简介

李成，男，教授/博士生导师，理学博士。2007年入选教育部新世纪优秀人才。 1992年和1995年毕业于兰州大学，分别取得学士和硕士学位，2000年毕业于中国科学院半导体研究所，获得博士学位。1995-1997年曾在航天部771研究所工作，2002-2004年在日本筑波大学做博士后。国家自然科学奖评审专家，国家科技部重点专项会评专家，中国物理学会谢希德物理学奖第二、三届评委，Journal of Semiconductor编委，包括IEEE Electron Device Letter, Chinese Physics B等10余种国内外学术刊物审稿人。完成或正在承担包括国家重点基础研究发展计划（973）课题，国家自然科学基金重点和面上项目，教育部博士点基金，福建省工业科技重点项目等省部级以上科研项目12项。发表学术论文150余篇，其中被SCI收录120余篇，被引用650余次。已授权中国发明专利6项。部分成果被Laser Focus World, Semiconductor today等国际著名行业杂志在新闻栏目中撰文报道，部分成果被写入三本国际著名出版社出版的专著中。

研究领域

长期从事半导体光电子材料与器件研究工作，面向硅基光互连核心高效发光器件、探测器件以及高迁移率沟道器件等，系统地开展了基于能带工程的硅基锗硅材料外延生长，光电子器件制备以及集成化共性关键工艺的研究工作，探索其中新的物理效应和机理，取得的主要成果有：(1)提出低温Ge关联岛缓冲层技术，通过低温Ge岛高指数晶面诱导Ge横向生长，实现超低位错密度高结晶质量的Si基Ge外延材料。（2）提出并制备了调制掺杂应变Ge/SiGe异质结构和量子阱发光材料，基于张应变工程、量子限制和Ge直接带载流子填充技术，观测到直接带发光的量子限制效应，有效提高Ge直接带隙发光强度。（3）提出低温预退火和脉冲激光退火相结合的方法，有效提高离子注入n-Ge掺杂激活浓度，制备出n+p浅结，整流比达到7个数量级。提出金属与锗接触势垒高度调制新方法和机理，实现低比接触电阻率。（4）制备出硅基Ge横向异质结构电致发光器件，发光强度比相同有源区器件提高4倍以上，利用垂直谐振腔结构，观测到Ge直接带发光的非线性增强和光增益。（5）制备出高速高灵敏度硅基锗光电探测器和高迁移率Ge量子阱MOSFET器件。研究成果在硅基集成光电子芯片应用方面具有重要的价值。

近期论文

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Guangyang Lin, Xiaohui Yi, Cheng Li,a) Ningli Chen, Lu Zhang, Songyan Chen, Wei Huang, Jianyuan Wang, Xihuan Xiong, and Jiaming Sun，Strong room temperature electroluminescence from lateral p-SiGe/i-Ge/n-SiGe heterojunction diodes on silicon-on-insulator substrate，Appl. Phys. Lett. 109, 141104 (2016). Guangyang Lin, Chen Wang, Cheng Li, Chaowen Chen, Zhiwei Huang, Wei Huang, Songyan Chen, Hongkai Lai , Chunyan Jin, and Jiaming Sun Strong electroluminescence from direct band and defects in Ge n+/p shallow junctions at room temperature，Appl. Phys. Lett. 108, 191107 (2016). Zhiwei Huang, Cheng Li*, Guangyang Lin, Shumei Lai, Chen Wang, Wei Huang, Jianyuan Wang, and Songyan Chen, Suppressing the formation of GeOx by doping Sn into Ge to modulate the Schottky barrier height of metal/n-Ge contact， Appl. Phys. Express 9, 021301 (2016). Qihai Lu, RongHuang, Xiaoling Lan, Xiaowei Chi, Chao Lu, Cheng Li,Zhiguo Wu, JunLi, Genliang Han, Pengxun Yan, Amazing diffusion depth of ultra- thin hafnium oxide film grown on n-type silicon by lower temperature atomic layer deposition, Materials Letters 169(2016)164–167 Chen Wang, Cheng Li, Guangyang Lin, Weifang Lu, Jiangbin Wei, Wei Huang, Hongkai Lai, Germanium n+/p Shallow Junction With Record Rectification Ratio Formed by Low-Temperature Preannealing and Excimer Laser Annealing IEEE Trans. On Electron Devices VOL. 61, NO. 9, SEPTEMBER 2014。 Guangyang Lin, Mengrao Tang, Cheng Li,a) Shihao Huang, Weifang Lu, Chen Wang,Guangming Yan, and Songyan Chen，Formation of nickel germanide on SiO2-capped n-Ge to lower its Schottky barrier height，Appl. Phys. Lett. 103, 253506 (2013)。 Shihao Huang,Cheng Li,Cheng zhao Chen, Chen Wang, Guangming Yan,Hongkai Lai, and Songyan Chen， In situ doped phosphorus diffusion behavior in germanium epilayer on silicon substrate by ultra-high vacuum chemical vapor deposition，Appl. Phys. Lett.. 102, 182102 (2013) Shihao Huang, Weifang Lu, Cheng Li,* Wei Huang, Hongkai Lai, and Songyan Chen，A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission， Vol. 21, No. 1，OPTICS EXPRESS640，14 January 2013. Chen Wang, Cheng Li, Shihao Huang, Weifang Lu, Guangming Yan, Guangyang Lin,Jiangbin Wei, Wei Huang, Hongkai Lai, and Songyan Chen，Low Specific Contact Resistivity to n-Ge and Well-Behaved Ge nþ/p Diode Achieved by Implantation and Excimer Laser Annealing，Appl. Phys. Express 6 (2013) 106501 Mengrao Tang, Cheng Li，Zheng Wu, Guanzhou Liu, Wei Huang, Hongkai Lai, Songyan Chen, “A Study of the Schottky-Barrier Height of Nickel Germanosilicide Contacts Formed on Si1−xGex Epilayers on Si Substrates”, IEEE. Tran. Electron Devices,59（9），2438-2443, (2012). Zheng Wu, Wei Huang, Cheng Li, Hongkai Lai, and Songyan Chen，Modulation of Schottky Barrier Height of Metal/TaN/n-Ge Junctions by Varying TaN Thickness IEEE Tran. Electron Devices. 59（9），1328， 2012. Yanghua Chen, Cheng LI*, Hongkai Lai, Songyan Chen, Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe qauntum wells on silicon substrate, Nanotechnology, 21，115207，2010. Cheng LI*, Yanghua Chen, Zhiwen Zhou, Hongkai Lai, Songyan Chen, Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator, Appl. Phys. Lett. 95, (2009). Yanghua Chen, Cheng Li*, Zhiwen Zhou, Hongkai Lai, Songyan Chen, Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/SiGe quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate, Appl. Phys. Lett. 94, 141902(2009) Cheng Li, Qinqing Yang, Hongjie Wang, Jinzhong Yu, Qiming Wang, Yongkang Li, Junming Zhou, Chenglu Lin, " Si1-xGex/Si Resonant- Cavity-Enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3mm ", Appl. Phys. Lett., 77(2), p.157,July 10, 2000.