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个人简介

南京大学电子科学与工程学院物理电子学专业教授,博导。2002年获南京大学物理系凝聚态物理专业博士学位, 并留校任教。主要从事低维硅基半导体材料的纳电子和光电特性研究及其在新一代非挥发性存储器和发光器件中的应用,在纳米硅浮栅存储器芯片和硅基阻变存储器的研发以及金属表面等离子体激元对硅基发光器件发光效率增强等方面取得了多项原创性成果。曾到法国高工,德国慕尼黑理工大学,瑞典皇家理工学院和德国汉堡大学进行访问和学习。近年来与中芯国际集成电路有限公司和无锡华润华晶微电子有限公司合作,开展了纳米硅量子点浮栅存储器芯片的研发及工艺制备,基于自主知识产权的存储器矩阵的结构、外围电路、版面和关键工艺,在中芯国际、8 英寸标准CMOS工艺流水线上成功制备出国内第一块具有NOR功能演示的纳米硅浮栅存储器芯片,纳米硅存储器的工作特性与稳定性,达到国际领先水平。

研究领域

(1)硅基低维材料的可控生长; (2)硅基半导体低维材料的纳电子和光电子特性; (3)低维材料的等离激元特性; (4)非挥发性存储器核心结构的设计和优化

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1. a-SiNx:H-based ultra-low power resistive random access memory with tunable Si dangling bond conduction paths Jiang,XF; Ma,ZY*; Xu,J; Chen, KJ; Xu,L; Li,W; Huang,XF; Feng,D SCIENTIFIC REPORTS 5,15762(2015) 2. Hexagonal Ag nanoarrays induced enhancement of blue light emission from amorphous oxidized silicon nitride via localized surface plasmon coupling Ma,ZY*; Ni,XD; Zhang,WP; Jiang,XF; Yang,HF; Yu,J; Wang,W; Xu,L; Xu,J; Chen,KJ; Feng,D OPTICS EXPRESS 22,28180(2014) 3. Strong blue light emission from a-SiNx:O films via localized surface plasmon enhancement Ma,ZY*; Yan,MY; Jiang,XF; Yang,HF; Xia,GY; Ni,XD; Ling,T; Li,W; Xu,L; Chen,KJ APPLIED PHYSICS LETTERS 101, 013106 (2012) 4. Nanocrystalline Si pathway induced unipolar resistive switching behavior from annealed Si-rich SiNx/SiNy multilayers Jiang,XF; Ma,ZY*; Yang,HF; Yu,J; Wang,W; Zhang, WP; Li,W; Xu,J; Xu,L; Chen, KJ JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116,123705(2014) 5. Direct observation of resistive switching memories behavior from nc-Si embedded in SiO2 at room temperature Xia,GY; Ma,ZY*;Jiang,XF; Yang, HF; Xu,J; Xu,L; Li,W; Chen,KJ; Feng,D Journal of Non-Crystalline Solids 358, 2348 (2012)

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