刘斌 - 南京大学 - 电子科学与工程学院

个人简介

刘斌，教授，博导，本科毕业于中山大学理工学院，获物理学与计算机科学双学位；2008年毕业于南京大学物理系微电子与固体电子学专业,获博士学位，其博士论文获得全国优秀博士论文提名奖。在江苏省光电信息功能材料重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心展开III族氮化物异质结构和光电子器件研究。2010年获得霍英东教育基金会青年基金资助，2012年获得教育部新世纪优秀人才计划支持，2014年获得国家自然科学基金委优秀青年基金，2016年获教育部青年长江学者。并作为学术团队成员获得教育部高校自然科学和技术发明一等奖共2项。曾先后在英国谢菲尔德大学III-V族半导体国家研究中心、瑞典皇家工学院(KTH)、香港中文大学访问研究。主持或完成国家重点研发计划--战略性先进电子材料重点专项，自然科学基金项目3项、省部级项目5项，参加国家重大研究“973”、“863”计划项目多项。截止目前，已在Advanced Functional Materials, Nano Letters, Applied Physics Letters,IEEE Electron Device Letters & Photonics Technology Letters等重要学术期刊上发表学术论文150余篇，其中第一/通讯作者40余篇，申请/授权中国或美国发明专利40余项。

研究领域

1.宽带隙半导体材料及异质结构 2.III族氮化物半导体光电子器件 3.半导体固态照明技术

近期论文

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Zhe Zhuang , Xu Guo , Bin Liu* , Fengrui Hu , Yi Li , Tao Tao , Jiangping Dai , Ting Zhi ,Zili Xie , Peng Chen , Dunjun Chen , Haixiong Ge , Xiaoyong Wang , Min Xiao , Yi Shi , Youdou Zheng , and Rong Zhang *High Color Rendering Index Hybrid III-Nitride/Nanocrystals White Light-Emitting Diodes (封面文章) ，Advanced Functional Materials, 26(1), 36–43(2016). Ting Zhi, Tao Tao, Bin Liu*, Zhe Zhuang, Jiangping Dai, Yi Li, Guogang Zhang, Zili Xie, Peng Chen, Rong Zhang, Polarized Emission from InGaN/GaN Single Nanorod Light-emitting Diode，IEEE Photonic Tech. Lett. 28(7),721-724(2016). Zhe Zhuang, Xu Guo, Bin Liu*, Fengrui Hu, Jiangping Dai,Yun Zhang, Yi Li, Tao Tao, Ting Zhi, Zili Xie, Haixiong Ge, Xiaoyong Wang, Min Xiao, Tao Wang, Yi Shi,Youdou Zheng and Rong Zhang*, Great enhancement in the excitonic recombination and light extraction of highly ordered InGaN/GaN elliptic nanorod arrays on a wafer scale(封面文章), Nanotechnology 27: 015301 (2015). Z.Zhuang,X. Guo,G. G. Zhang, B. Liu*, R. Zhang, T. Zhi, T. Tao, H. X. Ge, F. F. Ren, Z. L. Xie; Y. D. Zheng. Large-scale fabrication and luminescence properties of GaN nanostructures by a soft UV-curing nanoimprint lithography(封面文章). Nanotechnology 24(40), 405303 (2013). B. Liu, R. Smith, J. Bai, Y. P. Kong, T. Wang, Great emission enhancement and excitonic recombination dynamics of InGaN/GaN nanorod structures, Appl. Phys. Lett. 103, 101108 (2013). R. Smith, B. Liu, J. Bai, T. Wang, Hybrid III-nitride/organic semiconductor nanostructure with high efficiency nonradiative energy transfer for white light emitters, Nano Lett. 13 (7), 3042–3047(2013). B.Liu*, R.Zhang, J.G.Zheng, X. L. Ji, D. Y. Fu, Z. L. Xie, D. J. Chen, P. Chen, R. L. Jiang, Y. D. Zheng, Composition pulling effect and strain relief mechanism in AlGaN/AlN distributed Bragg reflectors, Appl. Phys. Lett. 98(26),261916 (2011). B. Liu, J. Y. Kong, R. Zhang, Z. L. Xie, D. Y. Fu, X. Q. Xiu, P. Chen, H. Lu, P. Han, Y. D. Zheng, and S. M. Zhou, Polarization and temperature dependence of photoluminescence of m-plane GaN grown on LiAlO2 (100) substrate, Appl. Phys. Lett. 95, 061905 (2009). B. Liu, R. Zhang, Z. L. Xie, J. Y. Kong, C. X. Liu, J. Yao, Q. J. Liu, Z. Zhang, D. Y. Fu, X. Q. Xiu, P. Chen, P. Han, Y. Shi, Y. D. Zheng，S. M. Zhou, G.. Edwards, Anisotropic crystallographic properties, strain and their effects on band structure of m-plane GaN on LiAlO2(100). Applied Physics Letters 92，261906 (2008). B. Liu, R. Zhang, C. X. Liu, Z. L. Xie, J. Y. Kong, X. Q. Xiu, L. Li, H. Lu, P. Han, S.L. Gu, Y. Shi, Y. D. Zheng, J. Zhou and S. M. Zhou, Non-polar m-plane GaN thin film and InGaN/GaN light-emitting diodes on LiAlO2 (100) substrates, Applied Physics Letters 91, 253506 (2007).