顾书林 - 南京大学 - 电子科学与工程学院

个人简介

学历 1993年9月 1995年7月南京大学物理系理学博士 1983年9月 1990年7月南京大学物理系微电子与固体电子学专业学士与硕士主要科研经历 2001年4月至今南京大学物理系，教授 2002年4月至今南京大学物理系，博导 1996年4月 2001年3月南京大学物理系，副教授 1998年7月-2000年5月美国威斯康辛大学麦迪森分校访问学者 1992年8月-1996年7月南京大学物理系，讲师 1990年8月  1992年7月南京大学物理系，助教

研究领域

宽禁带半导体(氧化锌、氮化镓)薄膜材料的外延生长、表征及器件应用

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J.D. Ye, S.L. Gu, S. M. Zhu, S. M. Liu, Y. D. Zheng, R. Zhang,Y. Shi. Fermi-level band filling and band-gap renormalization in ga-doped zno. Applied Physics Letters 2005:86(19) 192111. W. Liu, S. L. Gu, J.D. Ye, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, Blue-yellow ZnO homostructural light-emitting diode realized by metalorganic chemical vapor deposition technique, Applied Physics Letters 88, 092101 (2006) J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Electroluminescent and transport mechanisms of n-ZnO/p-Si heterojunctions, Applied Physics Letters 88, 182112 (2006) K. Tang, S. L. Gu, S. M. Zhu, J. G. Liu, H. Chtn, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, Suppression of compensation from nitrogen and carbon related defects for p-type N-doped ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS, 95,192106,2009 K. Tang, S. L. Gu, K. P. Wu, S. M. Zhu, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, Tellurium assisted realization of p-type N-doped ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS, 96, 242101, 2010