个人简介

侯士敏，北京大学信息科学技术学院教授，1998年于北京大学获得理学博士学位，2007年入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”，主要从事分子纳电子器件电子输运和自旋输运特性理论研究。2002年1月至2003年5月在美国明尼苏达大学(University of Minnesota)物理系作访问学者，开展有关纳米材料电子结构的第一性原理计算和纳电子器件电学特性理论计算等方面的合作研究。已在Physical Review Letters、Journal of the American Chemical Society、Angewandte Chemie International Edition、Advanced Materials、ACS Nano、Physical Review B、Applied Physics Letters、Journal of Chemical Physics、Nanotechnology等重要学术期刊上发表论文100余篇，获得中国发明专利3项，合作出版专著“论表面分析及其在材料研究中的应用”(科学技术文献出版社，2002)和译著“纳电子学基础”(清华大学出版社，2009)。 教育经历 1989年10月-1994年7月 北京大学无线电电子学系 本科生 1994年9月-1998年7月 北京大学电子学系 博士研究生 1998年5月获北京大学首届学生五四奖章 工作经历 1998年7月-2000年7月 北京大学电子学系 讲师 2000年8月-2006年7月 北京大学电子学系 副教授 2002年1月-2003年5月 美国明尼苏达大学物理系 访问学者 2006年8月- 北京大学信息科学技术学院 教授

研究领域

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分子纳电子器件电学特性理论。纳电子器件和分子电子器件是未来电子器件的发展方向，理解电子器件中电荷、自旋的输运特性对提高电子器件的性能和设计新型电子器件至关重要。以第一性原理的非平衡格林函数理论和相对论性含时密度泛函理论为主要工具，发展电子输运理论和高效数值计算方法，研究纳电子器件和分子电子器件中的电子输运过程，为新型电子器件的设计提供理论依据。

分子纳电子器件电学特性理论。纳电子器件和分子电子器件是未来电子器件的发展方向，理解电子器件中电荷、自旋的输运特性对提高电子器件的性能和设计新型电子器件至关重要。以第一性原理的非平衡格林函数理论和相对论性含时密度泛函理论为主要工具，发展电子输运理论和高效数值计算方法，研究纳电子器件和分子电子器件中的电子输运过程，为新型电子器件的设计提供理论依据