个人简介

1991年和1994年毕业于东南大学，获本科和硕士学位，1997年毕业于北京大学，获博士学位。现为北京大学信息科学技术学院教授，2015年当选为中国科学院信息技术科学部院士。 主要从事半导体新器件及其应用研究。在纳米尺度新器件、超低功耗新原理器件、器件可靠性、关键共性工艺等方面做出系统创造性贡献，在国际上产生重要影响，部分成果转移到著名IC公司。已合作出版著作4本，发表学术论文200余篇，迄今在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文（自2007年以来至今连续10年在IEDM上发表论文25篇），研究成果连续被列入三个版本的国际半导体技术发展路线图ITRS。应邀做国际会议大会和特邀报告30余次；获230余项授权发明专利（其中授权美国专利38项）。曾获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖、北京市科学技术一等奖（2次）、教育部自然科学一等奖、教育部科技进步一等奖、中国青年科技奖等多项国家和部委级奖励。担任国家自然基金委创新群体带头人，入选教育部长江特聘教授、国家杰青、国家百千万人才工程国家级人选等。

研究领域

1. 新型低功耗逻辑与存储器件 2. 神经形态器件及集成技术 3. 器件可靠性及波动性研究

研究领域：新器件技术及其应用

近期论文

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1. Q. Huang, R. Jia, J. Zhu, Z. Lv, J. Wang, C. Chen, Y. Zhao, R. Wang, W. Bu, W. Wang, J. Kang, K. Hua, H. Wu, S. Yu, Y. Wang, and R. Huang, Deep Insights into Dielectric Breakdown in Tunnel FETs with Awareness of Reliability and Performance Co-Optimization. International Electron Devices Meeting (IEDM), session 31.5 , Dec. 2016. 2. X. Jiang, S. Guo, R. Wang, Y. Wang, X. Wang, B. Cheng, A. Asenov, and R. Huang, New insights into the near-threshold design in nanoscale FinFET technology for sub-0.2V applications. International Electron Devices Meeting (IEDM), session 28.4, Dec. 2016. 3. Z. Zhang, Z. Zhang, R. Wang, X. Jiang, S. Guo, Y. Wang, X. Wang, B. Cheng, A. Asenov, and R. Huang, New Approach for Understanding "Random Device Physics" from Channel Percolation Perspectives: Statistical Simulations, Key Factors and Experimental Results. International Electron Devices Meeting (IEDM), session 7.2, 2016. 4. Z. Wang, M. Yin, T. Zhang, Y. Cai, Y. Wang, Y. Yang and R. Huang, Engineering incremental resistive switching in TaOx based memristors for brain inspired computing. Nanoscale, 8,14015-14022, 2016. 5. X. Yang, Y. Fang, Z. Yu, Z. Wang, T. Zhang, M. Yin, Y. Yang, Y. Cai and R. Huang, Nonassociative learning implementation by a single memristor-based multi-terminal synaptic device. Nanoscale, DOI: 10.1039/C6NR04142F, 2016. 6. Q. Huang, R. Jia, C. Chen, H. Zhu, L. Guo, J. Wang, J. Wang, C. Wu, R. Wang, W. Bu, J. Kang, W. Wang, H. Wu, S.-W. Lee, Y. Wang, and R. Huang, First Foundry Platform of Complementary Tunnel-FETs in CMOS Baseline Technology for Ultralow-Power IoT Applications: Manufacturability, Variability and Technology Roadmap. IEDM Technical Digest, 604-607, 2015. 7. X. Jiang, X. Wang, R. Wang, B. Cheng, A. Asenov, and R. Huang, Predictive Compact Modeling of Random Variations in FinFET Technology for 16/14nm Node and Beyond. IEDM Technical Digest, 727-730, 2015. 8. P. Ren, X. Xu, P. Hao, J. Wang, R. Wang, M. Li, J. Wang, W. Bu, J. Wu, W. Wong, S. Yu, H. Wu, S.-W. Lee, D.Z. Pan, and R. Huang, Adding the Missing Time-Dependent Layout Dependency into Device-Circuit-Layout Co-Optimization--New Findings on the Layout Dependent Aging Effects. IEDM Technical Digest, 293-296, 2015.

学术兼职

担任《中国科学：信息科学》副主编、《IEEE Transactions on Electron Devices》 编委、《Nanotechnology》编委；“十二五”国家863专家组成员、信息产业科技发展“十一五”计划和2020年中长期规划编制专家组专家；被选为IEEE EDS Elected BOG 委员等；任国际会议主席15次、国际会议TPC委员数十次。