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研究成果概况 研制出多种新机理超低功耗器件,打破了国际上硅基隧穿器件的亚阈摆幅纪录,实现了国际领先的综合性能水平,相关成果被列入国际半导体技术路线指南(ITRS)。

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后摩尔时代超低功耗新原理器件及其应用

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