谭劲 - 中国地质大学(武汉) - 材料与化学学院

个人简介

1983－1987，成都地质学院（成都理工大学），本科； 1987－1990，中国地质大学(北京)，硕士； 2001－2004，英国伦敦大学国王学院，博士； 1990－至今，中国地质大学(武汉)，任教。

研究领域

1、发光材料与半导体材料 2、晶体生长与熔体结构

近期论文

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1． A.H. Zhong, J. Tan, H.L. Huang, S.C. Chen, M. Wang and S. Xu, Thickness effect on the evolution of morphology and optical properties of ZnO films, Applied Surface Science, 2011，257（9）: 4051-4055 2．钟爱华，谭劲，陈圣昌，包鲁明，艾飞，李飞. 衬底温度对N-Al共掺杂ZnO 薄膜形貌及光致发光性能的影响, 功能材料，2010，6(41)：1008-1011 3．艾飞, 谭劲, 李飞, 包鲁明, 钟爱华, 陈圣昌. 多种ZnO纳米结构和ZnO/ZnS核壳结构的制备, 液晶与显示, 2010, 25(1): 11-16 4．包鲁明，谭劲，池召坤，何谋春，艾飞，钟爱华，陈圣昌，透辉石-钙长石体系熔体在不同过冷条件下晶体生长研究, 矿物岩石，2009，29：17 - 22 5．池召坤，谭劲，包鲁明，艾飞，黄焱球，何谋春，李飞，熔体过冷度对透辉石晶体形貌、成分及过渡层性质的影响，人工晶体学报，2009，38（1）：88-94. 6．杨福华，谭劲，周成冈，凌芝，SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究，稀有金属，2009，33(3)：343-347 7．杨福华，谭劲，周成冈，罗红波，Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量变化的研究，物理学报，2008，57(2): 1109-1116. 8．罗红波，谭劲，杨福华，池召坤，In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响，功能材料，2007，38(增刊): 59-62. 9． J. Tan, G. Davies, S. Hayama, and A. N. Larsen, Evolution of W optical center in Si-implanted epitaxial SiGe at low temperature annealing, Applied Physics Letters, 2007, 90: 041910. 10． R.E. Harding G. Davies, J. Tan, P.G. Coleman, C.P. Burrows, J. Wong-Leung, Identification by photoluminescence and positron annihilation of vacancy and interstitial intrinsic defects in ion-implanted silicon, Journal of Applied Physics, 2006, 100 (7): 073501 11． J. Tan, G. Davies, S. Hayama, and V. P. Markevich, The different behaviour of CiOi and CiCs defects in SiGe, Materials Science in Semiconductor Processing, 2006, 9: 58-61. 12． J. Tan, S. R. Zhao, Q. Huang, G. Davies, and X. X. Mo, The microstructure of silicate varying with crystal and melt properties under the same cooling condition, Materials Research Bulletin, 2004, 39: 939-948. 13． J. Tan, S. R. Zhao, W. F. Wang, G. Davies, and X. X. Mo, The effect of cooling rate on the structure of sodium silicate glass, Materials Science and Engineering B, 2004, 106: 295-299. 14． S. Hayama, G. Davies, J. Tan, J. Coutinlo, R. Jones, and K. M. Itoh, Lattice isotope effects on optical transition in silicon, Physical Review B, 2004, 70: 035202.