胡卫国 - 中国科学院大学

个人简介

招生方向 III-V化合物半导体材料与器件压电电子/光电子学太阳能电池教育背景 2004-09--2007-07 中国科学院半导体研究所博士 2001-09--2004-07 武汉大学硕士 1997-09--2001-07 武汉大学本科工作简历 2011-04--2013-07 日本东北大学助理教授 2009-08--2011-03 日本神户大学博士后 2007-07--2009-07 日本三重大学博士后奖励信息（1）湖北省优秀硕士论文，省级，2005 专利成果（1）在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法，发明，2008，第1作者，专利号：ZL.200710063881.1 科研项目（1）压电光电子材料和器件，主持，研究所（学校）级，2013-09--2018-08 参与会议（1） Efficiency Intermediate Band Solar Cell Design Using Highly Periodical Silicon Nanodisk Array，2012-12，[1] W. Hu, M. Igarashi, M.-Y. Lee, Y. Li, S. Samukawa

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（1） Intermediate band photovoltaics based on interband–intraband transitions using In0. 53Ga0. 47As/InP superlattice，Progress in Photovoltaics: Research and Applications，2013，第1作者（2） Effects of formation of mini-bands in two-dimensional array of silicon nanodisks with SiC interlayer for quantum dot solar cells，Nanotechnology，2013，第4作者（3） Realistic quantum design of silicon quantum dot intermediate band solar cells，Nanotechnology，2013，第1作者（4） Generation of high photocurrent in three-dimensional silicon quantum dot superlattice fabricated by combining bio-template and neutral beam etching for quantum dot solar cells，Nanoscale Research Letters，2013，第2作者（5） Simulation study of type-II Ge/Si quantum dot for solar cell applications，Journal of Applied Physics，2013，第1作者（6） Modeling miniband for realistic silicon nanocrystal array，Mathematical and Computer Modelling，2013，第1作者（7） Quantum dot solar cells using 2-dimensional array of 6.4-nm-diameter silicon nanodisks fabricated using bio-templates and neutral beam etching，Appl. Phys. Lett. ，2012，第4作者（8） Photoluminescence from GaAs nanodisks fabricated by using combination of neutral beam etching and atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy regrowth，Appl. Phys. Lett.，2012，第4作者（9） Control of optical bandgap energy and optical absorption coefficient by geometric parameters in sub-10nm silicon-nanodisc array structure，Nanotechnology，2012，第2作者（10） Energy band structure and the half-filling of the intermediate band in the quantum-dot solar cell，Phys. Status Solidi C ，2011，第1作者（11） Effects of absorption coefficients and intermediate-band filling in InAs/GaAs quantum dot solar cells，Applied Physics Letters，2010，第1作者（12） In-plane electric field induced by the polarization and photovoltaic effect in a-plane GaN，Applied Physics Letters，2009，第1作者（13） Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0 0 0 1) sapphire，Superlattices and Microstructures，2009，第1作者（14） Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties，Journal of Physics D-Applied Physics，2007，第1作者（15） Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped GaSb，Physics Letters A，2004，第1作者