许望颖 - 深圳大学

个人简介

许望颖，男，2015年7月博士毕业于香港中文大学电子工程系，随后在（香港政府成立之应用研发中心）纳米及先进材料研发院从事新型显示以及柔性电子关键材料与器件的研究和产业化工作。2016年5月加入深圳大学材料学院，任助理教授，深圳市海外高层次人才C类。长期致力于面向新型显示的氧化物薄膜晶体管研究，在ACS Appl. Mater. Interfaces，J. Mater. Chem. C，Appl. Phys. Lett.，Adv. Energy Mater.，Adv. Funct. Mater.等国际知名期刊发表研究论文近20篇，目前主持国家自然科学基金、广东省自然科学基金、深圳市新引进高端人才科研启动经费、深圳市基础研究项目，深圳大学新引进教师科研启动项目等。教育背景及工作经历： 2016.5–至今深圳大学，材料学院，助理教授，硕士生导师 2015.8–2016.5 （香港政府成立之应用研发中心）纳米及先进材料研发院，工程师 2012.8–2015.7 香港中文大学，电子工程，博士 2009.9–2012.7 中国科学院宁波材料技术与工程研究所，材料物理与化学，硕士 2005.9–2009.7 浙江大学，材料科学与工程，学士

研究领域

1. 新型氧化物半导体薄膜 (IGZO, CuOx, NiOx, SnOx等) 2. 高K氧化物介电薄膜(Al2O3, Ga2O3, ZrO2, La2O3等) 3. 基于溶液法工艺的氧化物薄膜晶体管 4. 溶液法制备氧化物薄膜及其在光电器件的应用

近期论文

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Xu W.*，Li H., Xu J.*, Wang L., Recent Advances of Solution-Processed Metal Oxide Thin Film Transistors, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018, DOI: 10.1021/acsami.7b16010（IF=7.5, JCR1） Zhang J.，Wen X.，Hu L.，Xu W.*，Zhu D.*，Cao P.，Liu W.，Han S.，Liu X.，Jia F.，Zeng Y.，Lu Y.，C-Axis Oriented Crystalline IGZO Thin-Film Transistors by Magnetron Sputtering，Journal of Materials Chemistry C，2017，5：2388~2396 (Corresponding author, IF=5.3, JCR1) Xu W.*，Long M.，Zhang T.，Liang L.，Cao H.，Zhu D.，Xu J.-B.*，Fully Solution-Processed Metal Oxide Thin-Film Transistors via A Low Temperature Aqueous Route，Ceramics International，2017，43: 6130~6137 (Corresponding author, IF=2.8, JCR2) Long M.，Zhang T.，Xu W.，Zeng X.，Xie F.，Li Q.，Chen Z.，Zhou F.，Wong K.，Yan K.，Xu J.-B.*，Large-Grain Formamidinium PbI3–xBrx for High-Performance Perovskite Solar Cells via Intermediate Halide Exchange，Advanced Energy Materials，2017，1601882（IF=16.7, JCR1） Liu X.*，Wu J.，Yu W.，Chen L.，Huang Z.，Jiang H.，He J.，Liu Q.，Lu Y.，Zhu D.，Liu W.，Cao P.，Han S.，Xiong X.，Xu W.，Ao J.，Ang K.，He Z.，Monolayer WxMo1−xS2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: Bandgap Engineering and Field Effect Transistors，Advanced Functional Materials，2017，1606469（IF=12.1, JCR1） Xu W.，Wang H.，Xie F.，Chen J.，Cao H.，Xu J.-B.*，Facile and Environmentally Friendly Solution-Processed Aluminum Oxide Dielectric for Low-Temperature, High-Performance Oxide Thin-Film Transistors，ACS Applied Materials & Interfaces，2015，7：5803~5810（IF=7.5, JCR1, citation>33） Xu W.，Cao H.，Liang L.，Xu J.-B.*，Aqueous Solution-Deposited Gallium Oxide Dielectric for Low-Temperature, Low-Operating-Voltage Indium Oxide Thin-Film Transistors: A Facile Route to Green Oxide Electronics，ACS Applied Materials & Interfaces，2015，7：14720~14725（IF=7.5, JCR1） Xu W.，Wang H.，Ye L.，Xu J.-B.*，The Role of Solution-Processed High-k Gate Dielectrics in Electrical Performance of Oxide Thin-Film Transistors，Journal of Materials Chemistry C，2014，2：5389~5396 （IF=5.3, JCR1, citation>38） Xu W.，Liu D.，Wang H.，Ye L.，Miao Q.，Xu J.-B.*，Facile Passivation of Solution-Processed InZnO Thin-Film Transistors by Octadecylphosphonic Acid Self-Assembled Monolayers at Room Temperature，Applied Physics Letters，2014，104：173504 （IF=3.4, JCR2） Xu W.，Dai M.，Liang L.，Liu Z.，Sun X.，Wan Q.，Cao H.*，Anomalous Bias-Stress-Induced Unstable Phenomena of InZnO Thin-Film Transistors Using Ta2O5 Gate Dielectric，Journal of Physics D: Applied Physics，2012，45：205103（IF=2.6, JCR2） Dai M.*，Xu W.，Polarization Mechanism and Quasi-Electric-Double-Layer Modeling for Indium-Tin-Oxide Electric-Double-Layer Thin-Film-Transistors，Applied Physics Letters，2012，100：113506 （IF=3.4, JCR2） Wang H.，Xu W.，Zhou S.，Xie F.，Xiao Y.，Ye L.，Chen J.，Xu J.-B. (*)，Oxygen Plasma Assisted High Performance Solution-Processed Al2Ox Gate Insulator for Combustion-Processed InGaZnOx Thin Film Transistors，Journal of Applied Physics，2015，117：035703（IF=2.1, JCR2） Wang H.，Sun T.，Xu W.，Xie F.，Ye L.，Xiao Y.，Wang Y.，Chen J.，Xu J.-B.*，Low-Temperature Facile Solution-Processed Gate Dielectric for Combustion Derived Oxide Thin Film Transistors，RSC Advances，2014，4：54729~54739（IF=3.1, JCR2） Wang H.，Xiao Y.，Chen Z.，Xu W.，Long M.，Xu J.-B.*，Solution-Processed PCDTBT Capped Low-Voltage InGaZnOx Thin Film Phototransistors for Visible-Light Detection，Applied Physics Letters，2015，106：242102（IF=3.4, JCR2） Ye L.，Xu H.，Yu H.，Xu W.，Li H.，Wang H.，Zhao N.，Xu J.-B.*，Ternary Bulk Heterojunction Photovoltaic Cells Composed of Small Molecule Donor Additive as Cascade Material，Journal of Physical Chemistry C，2014，118：20094~20099（IF=4.5, JCR2） Liang L.，Liu Z.，Cao H.*，Xu W.，Sun X.，Luo H.，Cang K.，The Structural, Optical and Electrical Properties of Y-doped SnO Thin Films and Their p-type TFT Application，Journal of Physics D: Applied Physics，2012，45：085101（IF=2.6, JCR2） Yu Z.，Liang L.，Liu Z.，Xu W.，Sun X.，Cao H.*，Effects of Sputtering Pressure and Post-Metallization Annealing on the Physical Properties of Rf-Sputtered Y2O3 Films，Journal of Alloys and Compounds，2011，509：5810~5815（IF=3.1, JCR1）