全知觉 - 南昌大学 - 材料科学与工程学院

个人简介

1999年与2002年毕业于华北工学院分获学士、硕士学位；2007年1月毕业于中国科学院上海技术物理研究所获理学博士学位。荣获2006年度上海－应用材料研究与发展基金研究生奖学金。

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1） Z. J. Quan*, J. L. Liu, F. Fang, G. X. Wang, F. Y. Jiang, Effect of V-shaped Pit area ratio on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emitting diodes, Opt. Quant. Electron., 2016, 48(3), 195:1-8 （SCI） 2） Zhijue Quan*, Junlin Liu, Fang Fang, Guangxu Wang, and Fengyi Jiang, A new interpretation for performance improvement of high-efficiency vertical blue light-emitting diodes by InGaN/GaN superlattices, Journal of Applied Physics, 2015, 118, 193102:1-6 （SCI） 3） Z. J. Quan*, J. L. Liu, F. Fang, and F. Y. Jiang, Effect of V-shaped pit density on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emitting diodes: Simulation, the 15th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2015, Taipei, china, 2015.9.7-11. (Poster). 4）武芹;全知觉*;王立;刘文;张建立;江风益；Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响，发光学报, 04期, pp466-471（2015） 5） Zhijue Quan*, Li Wang, Changda Zheng, Junlin Liu, and Fengyi Jiang, Roles of V-shaped pits on the improvement of quantum efficiency in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes[J], Journal of Applied Physics, 116(18), 183107 (2014）（SCI） 6） Z.J. Quan, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. Lu，Effects of carrier degeneracy and conduction band non-parabolicity on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices，Infrared physics & technology, 50: 1-8 (2007). （SCI） 7） Z.J. Quan, X.S. Chen, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu, Z.F. Li and W. Lu, Modeling of dark characteristics for long-wavelength HgCdTe photodiode，Optical and Quantum Electronics, DOI 10.1007/s11082-006-9046-4, (2007). （SCI） 8） Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu and W. Lu，Parameter determination from resistance-voltage curve for long-wavelength HgCdTe photodiode，J. appl. Phys., 100: 084503(2006). （SCI） 9）全知觉，孙立忠，叶振华，李志锋，陆卫；碲镉汞异质结能带结构的优化设计,物理学报，55(7), 3611-3616 (2006)。（SCI） 10）全知觉，叶振华，胡伟达，李志锋，陆卫；降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究，红外与毫米波学报，Vol.25(5):329-332（2006）。（SCI） 11）全知觉，李志锋，胡伟达，叶振华，陆卫；光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究，红外与毫米波学报，Vol.27(2):92-96（2006）。（SCI） 12） Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu and W. Lu，Study on parameters extraction from the dark characteristics of LW HgCdTe photodiode, The 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics (IRMMW-THz2006), Sep.18-22, 2006, Shanghai (China). (Poster). 13） Quan Zhijue，Chen Xiaoshuang，Lu Wei，The modeling of dark characteristics for longwavelength HgCdTe photodiode，6th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices，29-30，Nanyang Technol Univ, Singapore, SINGAPORE，2006.9.11-2006.9.14 14） Z.J. Quan, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. Lu，Effects of material natures on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices，The 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves (IRMMW2005), Sep. 29-Oct. 3, 2005, New York (America). (Poster).