个人简介
教育背景
美国耶鲁大学物理学博士,2000年
复旦大学物理学学士,1993年
工作学术经历
2000年01月-2004年02月在美国IBM微电子从事0.11 um DRAM和65 nm逻辑光刻技术研发工作,担任主任工程师
2004年03月-2007年08月在上海华虹NEC电子有限公司技术研发部受聘为主任,负责0.18 um和0.13 um光刻技术研发
2007年08月-2010年08月在阿斯麦光刻设备制造(中国)有限公司受聘为设备应用部部门经理,负责中国大陆193 nm和193 nm浸没式光刻设备应用技术支持
2010年09月-2016年05月受聘于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,在技术研发中心担任光刻技术研发部门助理总监,负责28 nm逻辑技术光刻技术研发
2016年06月-2018年04月受聘于中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司,担任工艺技术处负责图形技术研发的总监,负责14 nm图形技术研发,包括光刻、刻蚀、测量、和OPC
2018年07月-2021年03月加入上海集成电路研发中心,担任新型器件的材料实验室副主任,负责5 nm逻辑工艺技术预研
2021年4月-至今加入复旦大学微电子学院
获奖或荣誉
2006年11月,以第6完成人,在0.18 mm逻辑CMOS工艺平台开发项目里获得中国电子信息产业集团公司科技进步二等奖
2017年底获得2018年度上海市优秀学术/技术带头人称号,并以负显影光刻成套工艺技术为课题,获得资助
研究领域
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集成电路先进光刻工艺及光刻相关设备、光刻材料、光刻相关算法软件