江钧 - 复旦大学 - 微电子学院

个人简介

工作经历 2021年05月-至今复旦大学微电子学院，青年研究员 2018年09月-2021年04月复旦大学微电子学院，助理研究员教育背景 2012年09月-2016年06月复旦大学，博士 2009年09月-2012年06月南京电子器件研究所，硕士 2005年09月-2009年06月兰州大学，学士

研究领域

铁电材料，铁电存储器件设计及工艺研发

近期论文

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Wen Jie Zhang, Bo Wen Shen, Hao Chen Fan, Di Hu, An Quan Jiang*, Jun Jiang*; Nonvolatile Ferroelectric LiNbO3 Domain Wall Crossbar Memory, IEEE Electron Device Letters, 2023, DOI 10.1109/LED.2023.3240762. Jun Jiang, Chao Wang, Xiaojie Chai, Qinghua Zhang, Xu Hou, Fanqi Meng, Lin Gu, Jie Wang, An Quan Jiang*, Surface-bound domain penetration and large wall current, Advanced Electronic Materials, 2021, 7(3), 2000720. Xiaojie Chai#, Jun Jiang#, Qinghua Zhang, Xu Hou, Fanqi Meng, Jie Wang, Lin Gu, David Wei Zhang, An Quan Jiang*, Nonvolatile ferroelectric field-effect transistors, Nature Communications, 2020, 11, 2811. Chao Wang, Jun Jiang*, Xiaojie Chai, Jianwei Lian, Xiaobing Hu, and An Quan Jiang*, Energy-Efficient Ferroelectric Domain Wall Memory with Controlled Domain Switching Dynamics, ACS Applied Materials & Interfaces, 12, 44998?45004. Jun Jiang#, Zi Long Bai#, Zhi Hui Chen, Long He, David Wei Zhang, Qing Hua Zhang, Jin An Shi, Min Hyuk Park, James F. Scott, Cheol Seong Hwang, An Quan Jiang*, Temporary formation of highly conducting domain walls for non-destructive read-out of ferroelectric domain-wall resistance switching memories, Nature Materials, 2018, 17, 49–56.