王竞立 - 复旦大学 - 芯片与系统前沿技术研究院

个人简介

2021年3月至今，复旦大学芯片与系统前沿技术研究院青年副研究员 2017年6月-2020年11月，香港理工大学，博士后，导师：Prof. Yang Chai 2012年9月-2017年6月，武汉大学，硕博连读，凝聚态物理博士学位,导师：廖蕾教授 2008年9月-2012年6月，武汉大学，本科，物理学基地班学士学位研究内容：主要从事基于低维材料的新型半导体电子器件以及基于负电容的低功耗器件方面的研究工作。未来旨在利用在半导体材料，微纳器件制造和电测量方面的专业知识，一方面追求低功耗高性能半导体芯片的材料以及工艺解决方案，另一方面探索实现新型的器件功能。迄今为止，申请人作为第一作者/共同第一在IEDM上发表会议论文1篇，在Sci. Adv.、Adv. Mater.、和Sci. Bull.等具有国际影响力的学术期刊上发表论文7篇，期刊影响因子均超过10，其中Adv. Mater.为高被引论文。在Nat. Electron.、Nat. Nano.、 Sci. Adv.等学术期刊上共发表文章33篇，论文被引2100余次(谷歌学术)，H因子20。多项研究成果被国际知名期刊如等Nature、Chem. Sov. Rev.、IEDM等国际顶级期刊会议杂志作为研究亮点进行报道，得到了国内外同行的广泛关注和认可，多次在国际学术会议如IEDM和3M-nano上受邀做口头报告。曾受邀担任The 3rd International Symposium on Memory Devices for Abundant Data Computing程序委员会主席，入选上海市领军人才培养计划，上海市启明星计划扬帆专项。

研究领域

低维材料晶体管，负电容晶体管

近期论文

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Jingli Wang, Lejuan Cai, Jiewei Chen, Yanghui Liu, Zichao Ma, Zhendao Xie, Hao Huang, Mansun Chen, Ye Zhu, Lei Liao, Qiming Shao, Yang Chai*, Transferred metal gate to 2D semiconductors for sub-1 V operation and near ideal subthreshold slope, Science Advances,2021, 7, abf8744. Jingli Wang, Xuyun Guo, Zhihao Yu, Zichao Ma, Yanghui Liu, Ziyuan Lin, Masun Chan, Ye Zhu, Xinran Wang, and Yang Chai*, Low‐power complementary inverter with negative capacitance 2D semiconductor transistors, Advanced Functional Materials, 2020, 30, 2003859. Jingli Wang, Jingsi Qiao, Kang Xu, Jiewei Chen, Yuda Zhao, Bocheng Qiu, Ziyuan Lin, Wei Ji, Yang Chai*, Quasi One-dimensional van der Waals Gold Selenide with Strong Interchain Interaction and Giant Magnetoresistance, Science Bulletin, 2020, 65, 17. Jingli Wang, Xuyun Guo, Yanghui Liu, Masun Chan, Ye Zhu, Xinran Wang, Yang Chai*, Steep slope p-type 2D WSe2 field-effect transistors with van der waals contact and negative capacitance, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Fransisco, 2018. Jingli Wang, Qian Yao, Chun-Wei Huang, Xuming Zou, Lei Liao*, Shanshan Chen, Zhiyong Fan, Kai Zhang, Wei Wu, Xiangheng Xiao, Changzhong Jiang, Wen-Wei Wu, High Mobility MoS2 transistor with low Schottky barriercontact by using atomic thick h‐BN as a tunneling layer, Advanced Materials, 2016, 28(37): 8302-8308.