个人简介
2022年1月至今，复旦大学芯片与系统前沿技术研究院青年研究员
2020年5月-2021年10月，Micron（美光），新型存储器件研发工程师
2018年9月-2020年5月，耶鲁大学，电子工程系，博士后，导师：Prof. Tso-Ping Ma
2017年12月-2018年9月，马萨诸塞大学阿默斯特分校，电子与计算机工程系，博士后，导师：Prof. Qiangfei Xia
2011年9月-2018年2月，马萨诸塞大学阿默斯特分校，电子与计算机工程系，博士，导师：Prof. Qiangfei Xia
研究内容：长期从事新型存储技术研究，致力于推动忆阻器以及铁电器件在存储、存内/类脑计算以及硬件安全等多领域的应用和技术转化。发表论文40余篇，其中以第一/共同第一/通讯作者在Nat. Electron.、Nat. Commun.等国际知名期刊上发表共11篇，谷歌学术引用5000余次，研究工作引起国际媒体的广泛关注，被多位专家评价推荐；申请美国专利2项，已授权1项，多项工作正在向工业界转化。入选国家和上海海外高层次青年人才引进计划。
近期论文
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Hao Jiang*; Owen Li; Wenliang Chen; T. P. Ma; Dual-Storage-Port Nonvolatile SRAM Based on Back-End-of-the-Line Processed Hf0.5Zr0.5O? Ferroelectric Capacitors Towards 3D Selector-Free Cross-Point Memory, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2020, 8: 935-938.
Hao Jiang*; Maruf A. Bhuiyan; Zhan Liu; T. P. Ma*; A Study of BEOL Processed Hf0.5Zr0.5O2-based Ferroelectric Capacitors and Their Potential for Automotive Applications, IEEE International Memory Workshop, Dresden, Germany, 2020-5-17/20.
Hao Jiang*; Can Li; Peng Lin; Shuang Pi; Jianhua Joshua Yang; Qiangfei Xia*; Scalable 3D Ta:SiOx Memristive Devices, Advanced Electronic Materials, 2019, 5(9): 1800958.
Hao Jiang#; Can Li#; Rui Zhang; Peng Yan; Peng Lin; Yunning Li; J. Joshua Yang*; Daniel Holcomb*; Qiangfei Xia*; A provable key destruction scheme based on memristive crossbar arrays, Nature Electronics, 2018, 1: 548-554.
Hao Jiang#; Daniel Belkin#; Sergey E. Savel’ev#; Siyan Lin; Zhongrui Wang; Yunning Li; Saumil Joshi; Rivu Midya; Can Li; Mingyi Rao; Mark Barnell; Qing Wu; J. Joshua Yang*; Qiangfei Xia*; A novel true random number generator based on a stochastic diffusive memristor, Nature Communications, 2017, 8: 882.
Rui Zhang#; Hao Jiang#; Zhongrui Wang; Peng Lin; Ye Zhuo; Daniel Holcomb; Daihua Zhang*; J. Joshua Yang*; Qiangfei Xia*; Nanoscale diffusive memristor crossbars as physical unclonable functions, Nanoscale, 2018, 10(6): 2721-2726.
Hao Jiang; Lili Han; Peng Lin; Zhongrui Wang; Moon Hyung Jang; Qing Wu; Mark Barnell; J. Joshua Yang; Huolin L.Xin; Qiangfei Xia*; Sub-10 nm Ta Channel Responsible for Superior Performance of a HfO2 Memristor, Scientific Reports, 2016, 6: 28525.
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