邢大伟 - 哈尔滨工业大学 - 材料科学与工程学院

个人简介

教育经历 1986.9~1990.7，哈尔滨工业大学金属材料及工艺系铸造专业，获学士学位 1992.9~1995.3，哈尔滨工业大学材料学院研究生，获硕士学位 2000.9~2003.8，哈尔滨工业大学材料学院研究生，获博士学位 2007.3~2008.3，美国田纳西大学/橡树岭国家实验室（ORNL）访问学者

研究领域

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高硅铝合金电子封装材料（也称硅铝合金），是指含硅量在27%~70%的铝硅合金，因其含硅量很高，因而兼具金属和陶瓷的特性，广泛应用于功率器件的电子封装领域。当下具体应用牌号有 (Al-27si、Al-42si、Al-50si、Al-60si、Al-70si）相关产品主要用于大功率电子封装产品、结构件等，产品种类涵盖微波、射频、功率放大器、接收器、功率开关、波导、功分器、光学结构件等。此类壳体件、结构件是电子器件产品不可或缺的组成部分，对电子器件的集成电路及模块起到支撑保护、散热、电磁屏蔽等作用。梯度硅铝材料，是在高硅铝合金材料的基础上，引入梯度功能材料的思想制备出来的。按照成分梯度分层，可以更好地满足电子器件封装中不同部位的使用要求，例如，高硅含量层具有更低的热膨胀系数，因而可以与电路基板更好地匹配，而低硅层焊接性好，可以保证良好的激光封焊性能。梯度硅铝材料在实际封装中获得了广泛的应用，衍生出单层梯度、双层梯度、平面梯度、局部梯度等形式，多种形式的应用，促进了封装结构设计思想的发展，提升了器件的性能。