徐晓龙 - 北京理工大学 - 集成电路与电子学院

个人简介

2022.06 至今：任职于北京理工大学集成电路与电子学院准聘教授 2020.7-2022.06：任职于北京大学凝聚态物理专业博雅博士后 2015.09-2020.07：就读于北京大学凝聚态物理专业博士 2011.09-2015.06：就读于北京科技大学理科试验班专业（后加入黄昆班）本科研究成果在二维半导体的相变及相变机制，生长和器件制备以及二维磁性材料的物性方面进行长期科研探索，共计发表SCI论文20余篇，其中以第一作者及通讯作者在Science，Nature Synthesis，JACS，PRX，AM，Nano Letters等期刊发表文章共计7篇。晶圆尺寸单晶MoTe2的制备工作入选了“2021年度中国半导体十大研究进展”。主持课题中国博士后科学基金特别资助站前（2020年），主持，结题荣获奖项 2022年获北京理工大学特立青年学者 2021年获得北京大学优秀博士后 2021年获得人工微结构和介观物理国家重点实验室甘子钊优秀博士后奖

研究领域

主要研究领域集中在二维半导体的生长及器件制备以及二维磁性材料的物性研究

近期论文

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Xu, X.; Pan, Y.; Liu, S.; Han, B.; Gu, P.; Li, S.; Xu, W.; Peng, Y.; Han, Z.; Chen, J.; Gao, P.; Ye, Y., Seeded 2D Epitaxy of Large-area Single-crystal Films of The van der Waals Semiconductor 2H MoTe2. Science 2021, 372 (6538), 195-200. Yang, S.#; Xu, X.#; Zhu, Y.#; Niu, R.; Xu, C.; Peng, Y.; Cheng, X.; Jia, X.; Huang, Y.; Xu, X.; Lu, J.; Ye, Y., Odd-Even Layer-Number Effect and Layer-Dependent Magnetic Phase Diagrams in MnBi2Te4. Physical Review X 2021, 11 (1), 011003. Xu, X.; Han, B.; Liu, S.; Yang, S.; Jia, X.; Xu, W.; Gao, P.; Ye, Y.; Dai, L., Atomic-Precision Repair of a Few-Layer 2H-MoTe2 Thin Film by Phase Transition and Recrystallization Induced by a Heterophase Interface. Advanced Materials 2020, 32 (23), 2000236. Xu, X.; Liu, S.; Han, B.; Han, Y. M.; Yuan, K.; Xu, W. J.; Yao, X. H.; Li, P.; Yang, S. Q.; Gong, W. T.; Muller, D. A.; Gao, P.; Ye, Y.; Dai, L., Scaling-up Atomically Thin Coplanar Semiconductor-Metal Circuitry via Phase Engineered Chemical Assembly. Nano Letters 2019, 19 (10), 6845-6852. Xu, X.; Chen, S. L.; Liu, S.; Cheng, X.; Xu, W. J.; Li, P.; Wan, Y.; Yang, S. G.; Gong, W. T.; Yuan, K.; Gao, P.; Ye, Y.; Dai, L., Millimeter-Scale Single-Crystalline Semiconducting MoTe2 via Solid-to-Solid Phase Transformation. Journal of the American Chemical Society 2019, 141 (5), 2128-2134. Xu, X.; Song, Q. J.; Wang, H. F.; Li, P.; Zhang, K.; Wang, Y. L.; Yuan, K.; Yang, Z. C.; Ye, Y.; Dai, L., In-Plane Anisotropies of Polarized Raman Response and Electrical Conductivity in Layered Tin Selenide. ACS Applied Materials & Interfaces 2017, 9 (14), 12601-12607.