个人简介

陈译，男，博士，光电与通信工程学院（微电子学院）讲师；毕业于日本国立琉球大学，获得材料·器件工学博士。2010至2017，就职于日本三垦电气株式会社，从事功率器件研发；2017年9月到光电与通信工程学院工作。 主持科研项目情况： 1. 福建省自然科学基金项目，福建省面上项目，2019J01875，逆导型绝缘栅晶体管负阻效应的物理机制与新结构研究，2019-07至2022-07，10万元，在研，主持 2. 教材建设基金资助项目，校级项目，30118033，芯片制造-半导体工艺与设备，2018-06至2020-06，4.8万元，在研，主持 3. 厦门市留学人员科研项目，市厅级项目，C2018060，逆导型绝缘栅晶体管负阻效应的物理机制，2018-12至2021-12，5万元，在研，主持 4. 厦门市科技计划项目，市厅级项目，3502Z20183061，Mosfet 超级结mos（Super Junction），2018-06至2021-06，11万元，在研，主持 5. 厦门理工学院高层次人才项目，校级项目，G2017002，激光退火技术在低耐压功率金属氧化物场效应晶体管生产工艺中的应用，2017-09至2020-09，10万元，在研，主持 授权发明专利 1) 陈译; 一种屏蔽栅功率器件的制备方法, 2018-12-3, 中国, 201810794418.2. 2) 陈译; 一种能抑制沟道迁移率低下的IGBT新结构的制备方法, 2018-12-3, 中国, 201810794649.3. 3) 陈译; 一种沟槽超级势垒整流器及其制备方法, 2019-6-17, 中国, 201910152821.X. 4) 陈译; 一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造, 2020-4-8, 中国, 202010053742.6. (专利) 2017年以前 专利名称专利号专业领域专利权人排名专利授权国 半导体装置JP2017045527半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2017045530半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2017045539半导体制造工艺领域1日本 半导体装置CN204497237U半导体制造工艺领域1中国 半导体装置JP2014145906半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2016043344半导体制造工艺领域1日本 半导体装置及制造方法JP-E25-084半导体制造工艺领域1日本 半导体装置及制造方法JP-E25-085半导体制造工艺领域1日本 半导体装置及制造方法JP-E26-105半导体制造工艺领域1日本 半导体装置CN204497238U半导体制造工艺领域1中国 半导体装置JP2014145931半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2015109272半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2015109281半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2015173752半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2016041663半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2016230590半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2015173771半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2014229390半导体制造工艺领域1日本 半导体装置JP2015051699半导体制造工艺领域1日本

研究领域

功率半导体器件材料与器件

・第三代化合物半导体SiC，GaN ・超结MOSFET、分裂栅型场效应管SGT-MOSFTE、IGBT ・半导体工艺流程设计

近期论文

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[1] Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio MAZZAMUTO and Karim HUET, “Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET”, Jap. J. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, 2016. [2] Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, “An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs”, IEICE, Volume and Number: Vol. E99-C, No.5, pp.516-521. [3] Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, “An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Planar Power MOSFETs”, IEICE, Volume and Number: Vol., Vol. E99-C, No.5, pp.601-603. [4] J. D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, and T. Itoh, “Structural Characterization of Sputtered Si Thin Films after RTA for AMOLED”, Jap. J. Appl. Phys., 121302-1, 2010. [5] Takashi Noguchi, Yi Chen, Tomoyuki Miyahira, Jean de Dieu Mugiraneza, Yoshiaki Ogino, Yasuhiro Iida, Eiji, “Advanced Micro-Polycrystalline Silicon Films Formed by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”, Jap. J. Appl. Phys, p.03CA10-(1-3), 2010.