万皓川 - 上海交通大学 - 机械与动力工程学院

个人简介

教育背景 • 博士，圣路易斯华盛顿大学（WUSTL），电子工程，2018/08-2021/08 • 博士，密歇根州立大学（MSU），电子工程，2017/08-2018/07 （transferred with director） • 硕士，南加州大学（USC），材料工程，2014/08-2016/05 • 学士，中山大学，化学，2010/09-2014/06 工作经历高级工程师，日本船桥（Funabashi）工业自动化实验室，华为技术有限公司，2021/10-2022/11 助理教授，机械与动力工程学院，上海交通大学，2022.12-至今荣誉奖励 • 工程系研究生奖学金 (GEF scholarship), 2017, 密歇根州立大学 • 优秀学生奖学金, 2011; 学术研究奖学金, 2013, 中山大学

研究领域

• 柔性电子器件与系统 • 仿神经形态器件(Neuromorphic devices) • 印刷电子工艺 • 生物医疗及可穿戴设备

近期论文

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一作及共同一作论文： • Wan, H., Zhao, J., Lo, L. W., Cao, Y., Sepúlveda, N., & Wang, C.* “Multimodal Artificial Neurological Sensory–Memory System Based on Flexible Carbon Nanotube Synaptic Transistor.” ACS Nano, 2021. • Wan, H., Cao, Y., Lo, L. W., Zhao, J., Sepulveda, N., & Wang, C.* “Flexible carbon nanotube synaptic transistor for neurological electronic skin applications.” ACS Nano, 2020. • Wan, H., Cao, Y., Lo, L. W., Xu, Z., Sepúlveda, N., & Wang, C.* “Screen-printed soft triboelectric nanogenerator with porous PDMS and stretchable PEDOT: PSS electrode.” J. Semicond., 2019. • Yu, M.,||* Wan, H.,|| (Co-1st ) Cai, L., Miao, J., Zhang, S. and Wang, C.* “Fully Printed Flexible Dual-Gate Carbon Nanotube Thin-Film Transistors with Tunable Ambipolar Characteristics for Complementary Logic Circuits.” ACS Nano, 2018. 部分合作论文： • Zhao, J., Lo, L. W., Wan, H., Mao, P., Yu, Z., & Wang, C.* “High‐Speed Fabrication of All‐Inkjet‐Printed Organometallic Halide Perovskite Light‐Emitting Diodes on Elastic Substrates.” Adv. Mater., 2021. • Lo, L. W., Zhao, J., Wan, H., Wang, Y., Chakrabartty, S., & Wang, C.* “An Inkjet-Printed PEDOT: PSS-Based Stretchable Conductor for Wearable Health Monitoring Device Applications.” ACS Appl. Mater. Interfaces, 2021. • Cao, X., Lau, C., Liu, Y., Wu, F., Gui, H., Liu, Q., Ma, Y., Wan, H., Amer, M.R. and Zhou, C.* “Fully Screen-Printed, Large-Area, and Flexible Active-Matrix Electrochromic Displays Using CNT Thin-Film Transistors.” ACS Nano, 2016. • Liu, B., Ma, Y., Zhang, A., Chen, L., Abbas, A.N., Liu, Y., Shen, C., Wan, H. and Zhou, C.* “High-Performance WSe2 Field-Effect Transistors via Controlled Formation of In-Plane Heterojunctions.” ACS Nano, 2016.