郑理 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向功率器件工作简历 2019-05~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员，团委书记，上海市青联委员 2019-01~2019-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员，上海市青联委员 2016-10~2018-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员奖励信息（1）中国科学院优秀博士学位论文, 院级, 2018 专利成果（ 1 ）一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN107359221B 科研项目（ 1 ）针对多层MoS2的低能等离子体可控掺杂机理及原位缺陷修饰研究, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12 （ 2 ）大尺寸高性能SOI基GaN晶圆研究及单芯片集成半桥开关验证, 主持, 省级, 2019-09--2021-08 （ 3 ）青促会, 主持, 部委级, 2020-01--2023-12 （ 4 ）原子层沉积系统自匹配等离子体装置开发, 主持, 部委级, 2018-09--2019-09 （ 5 ）石墨烯/复合高k介质异质结直接形成方法和机理研究, 主持, 省级, 2017-05--2020-04

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（1） Optimized JFET regions of 4H-SiC VDMOS with reduced on-resistance and improved gate oxide reliability, Journal of Physics D, 2020, 第 1 作者（2） High quality silicon: Colloidal quantum dot heterojunction based infrared photodetector, Applied Physics Letters, 2020, 通讯作者（3） PbS colloidal quantum dots patterning technique with low vertical leakage current for the photodetection applications, J. Mater. Sci.-Mater. El., 2020, 通讯作者（4） Band alignment regulation of HfO2/SiC heterojunctions induced by PEALD with in situ NH3-plasma passivation, Physics Letters A, 2019, 通讯作者（5） Ambipolar Graphene-Quantum Dot Phototransistors with CMOS Compatibility, Advanced Optical Materials, 2018, 第 1 作者（6） Low temperature growth of three-dimensional network of graphene for high-performance supercapacitor electrodes, Materials Letter, 2018, 第 1 作者（7） Influence of LaSiOx passivation interlayer on band alignment between PEALD-Al2O3 and 4H-SiC determined by X-ray photoelectron spectroscopy, Applied Surface Science, 2018, 通讯作者（8） Band alignment between PEALD-AlNO and AlGaN/GaN determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy, Applied Surface Science, 2017, 通讯作者（9） Enhanced interfacial and electrical characteristics of 4H-SiC MOS capacitor with lanthanum silicate passivation interlayer, Applied Surface Science, 2017, 通讯作者（10） Interfacial chemistry and energy band alignment of TiAlO on 4H-SiC determined by X-ray photoelectron spectroscopy, Applied Surface Science, 2017, 通讯作者