赵妙 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085208-电子与通信工程、招生方向射频、微波器件与电路集成技术半导体器件可靠性微波功率器件教育背景 2004-09--2007-06 中国科学院半导体研究所博士学位工作简历 2011-11--今中国科学院微电子研究所副研究员 2007-07--2011-10 中国科学院微电子研究所助理研究员专利成果（1）一种提高肖特基势垒高度的方法，发明，2009，第1作者，专利号：200910303939.4 （2）已减薄或划片的氮化镓场效应管的退火处理方法，发明，2009，第1作者，专利号：200910307846.9 （3）一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，发明，2009，第1作者，专利号：200910241685.8 （4）一种检测GaN器件肖特基漏电模式的方法，发明，2010，第1作者，专利号：201010217186.8 （5）一种通过肖特基测试图形监测GaN基HEMT可靠性的方法，发明，2010，第1作者，专利号：201010241994.8 （6）确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法，发明，2011，第1作者，专利号：201110163890.4 （7）对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，发明，2011，第1作者，专利号：201110236597.6 （8）一种测量GaN基器件热可靠性的方法，发明，2011，第1作者，专利号：201110236600.4 （9）确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，发明，2012，第1作者，专利号：201210238641.1 （10）一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法，发明，2012，第1作者，专利号：201210239703.0 （11）双沟道晶体管及其制备方法，发明，2012，第1作者，专利号：201210335697.9 （12） GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，发明，2014，第1作者，专利号：201410005400.1 （13）一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，发明，2014，第1作者，专利号：201410005195.9 （14）一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，发明，2010，第1作者，专利号：201010233999.6 科研项目（1） xx以下GaN功率器件与MMIC，参与，专项级，2014-01--2016-12 （2） AlGaN/GaN HEMT 低频噪声与器件可靠性相关性的研究，主持，国家级，2012-01--2014-12 （3）超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究，参与，国家级，2010-09--2014-12 参与会议（1） Optimizing of the material structure in AlGaN/GaN HEMTs through the energy band engineering approach，2012-09，ZhaoMiao （2） Thermal analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors，2012-07，Zhao Miao （3） GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究，第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议，2008-11，赵妙

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（1） Thermal analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by infrared microscopy，Optics Communications，2013，第1作者（2） Analysis of the device characteristics of AlGaN/GaN HEMTs over a wide temperature range，Materials science and Engineering B，2013，第1作者（3） The experierntial fit of the capacitance-voltage characteristics of the AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors，Acta Physica Sinica，2011，第2作者（4） The physical process analysis of capacitance-voltage characteristics　for AlGaN-AlN-GaN HEMT，Chinese physics B，2010，第2作者（5） Thermal storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors，IEEE transaction on device and material reliability，2010，第1作者（6） A revised approach to schottky parameters extraction for GaN HEMT after elevated temperature aging，Chinese Physics B，2010，第2作者（7） The effect of proton radiation on a superluminescent diode (SLD)，Nuclear Inst.And Method in Physics Research，2007，第1作者（8） Study of the compact in optical thin film by double electron Beam evaporation technology，Journal of optoelectronics laser，2007，第1作者（9） Prepareation of Si/SiO2 optical thin film by source electron beam evaporation technology，Chinese of semiconductors，2006，第1作者