杨红 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向新型器件可靠性与失效分析新型器件可靠性与失效分析教育背景 2015-09--2019-06 中国科学院大学工学博士 2002-09--2005-07 北京大学理科硕士 1998-09--2002-07 北京大学理科学士工作简历 2015-09~2019-06,中国科学院大学, 工学博士 2011-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员 2005-09~2011-08,韩国三星电子半导体事业部（韩国）, 工程师/高级工程师 2002-09~2005-07,北京大学, 理科硕士 1998-09~2002-07,北京大学, 理科学士专利成果（ 1 ）半导体晶体管金属栅的集成工艺方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201510661889.2 （ 2 ） CMOS器件及其制造方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201410450098.0 （ 3 ） CMOS器件及其制造方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201410568946.8 （ 4 ） CMOS器件及其制造方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201410484407.6 （ 5 ）金属栅电极等效功函数调节方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201310331607.3 （ 6 ） METHOD FOR ADJUSTING EQUIVALENT EFFECTIVE WORK FUNCTION OF METAL GATE, 2017, 第 1 作者, 专利号: 9,831,089 科研项目（ 1 ）双金属栅CMOS器件的可靠性退化机制及其抑制方法研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12 （ 2 ）基于半导体器件电学测试平台的可靠性自动化测试功能扩展与优化, 主持, 部委级, 2017-09--2019-08 （ 3 ）器件可靠性技术研究, 主持, 院级, 2016-01--2019-12 （ 4 ）高端芯片可靠性与可信任性评价分析关键技术, 参与, 省级, 2019-01--2021-12 （ 5 ） 5纳米先导技术研究-5nm锗/锗硅高迁移率沟道三维器件及关键共性技术, 参与, 国家级, 2017-01--2020-12 （ 6 ） 3-1纳米集成电路新器件与先导工艺, 参与, 部委级, 2019-09--2020-10 （ 7 ）微纳器件与电路物理分析平台, 参与, 部委级, 2020-01--2020-12 （ 8 ）碳纳米管器件鲁棒性研究, 主持, 国家级, 2020-08--2023-08 （ 9 ）突破异质集成的新材料和器件原理研究, 参与, 国家级, 2021-01--2024-12 参与会议（1）A Fast DCIV Technique for Characterizing the Generation and Repassivation of Interface Traps Under DC/AC NBTI Stress/Recovery Condition in Si p-FinFETs 2021-04-30 （2）Comparative Study on the Energy Profile of NBTI-Related Defects in Si and Ferroelectric p-FinFETs 2020-04-30 （3）Comparison of NBTI kinetics in Replacement Metal Gate Si p-FinFETs featuring Atomic Layer Deposition Tungsten Filling Metal Using B2H6 and SiH4 Precursors 2019-07-01

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（1） Alleviation of Negative-Bias Temperature Instability in Si p-FinFETs With ALD W Gate-Filling Metal by Annealing Process Optimization, IEEE Journal of Electron Devices Society, 2021, 通讯作者（2） Influence of an ALD TiN Capping Layer on PBTI Characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl Gate Stacks, Science of China, Information Science, 2020, 第 1 作者（3） An Investigation of Field Reduction Effect on NBTI Parameter Characterization and Lifetime Prediction Using a Constant Field Stress Method, IEEE Transaction on Device and Material Reliability, 2020, 通讯作者（4） Comparative Study on NBTI Kinetics in Si p-FinFETs with B2H6-Based and SiH4-Based Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) Filling Metal, Microelectronics Reliability, 2020, 通讯作者（5） Influence of an ALD TiN Capping Layer on PBTI Characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl Gate Stacks, Science China Information Sciences, 2020, 第 1 作者（6） Insights Into the Effect of TiN Thickness Scaling on DC and AC NBTI Characteristics in Replacement Metal Gate pMOSFETs, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2020, 通讯作者（7） Understanding Frequency Dependence of Trap Generation under AC Negative Bias Temperature Instability Stress in Si p-FinFETs, IEEE Electron Device Letters, 2020, 通讯作者（8） Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface Trap and Channel Hot Carrier Reliability of HKMG nMOSFETs, IEEE Electron Device Letters, 2018, 第 1 作者