夏志良 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向新型纳米存储器件与集成技术三维存储器可靠性研究，下一代新型存储器结构研究，存储器的建模和模拟教育背景 2002-09--2007-07 北京大学博士 1998-09--2002-07 北京大学学士工作简历 2016-06~现在, 中国科学院微电子研究所, 正高级工程师 2007-08~2015-05,韩国三星电子半导体研究所, 首席工程师教授课程存储器工艺与器件技术奖励信息（1）集成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖, 其他, 2018 （2） 2017年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, 研究所（学校）, 2017 （3）微电子所研究生最喜爱的导师, , 研究所（学校）, 2017 （4） 2016年度中国科学院微电子研究所显著科研进展奖, , 研究所（学校）, 2016 （5） 2015年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, , 研究所（学校）, 2015

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（1） An Improved Dimensional Measurement Method of Staircase Patterns with Higher Precision in 3D NAND[J], IEEE Access, 2020, 第 4 作者（2） Analysis and Optimization of Threshold Voltage Variability by Polysilicon Grain Size Simulation in 3D NAND Flash Memory [J], IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2020, 通讯作者（3） Optimization of Performance and Reliability in 3D NAND Flash Memory [J], IEEE Electron Device Letters, 2020, 通讯作者（4） A novel solution to improve saddle-shape warpage in 3D NAND flash memory[J], Semiconductor Science and Technology, 2020, 通讯作者（5） Hydrogen Source and Diffusion Path for Poly-Si Channel Passivation in Xtacking 3D NAND Flash Memory[J], Journal of the Electron Devices Society, 2020, 通讯作者（6）三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺, 半导体制造技术, 2019, 通讯作者（7）三维存储器技术中高热预算条件下表面沟道 PMOS开发研究, 微电子学, 2019, 第 10 作者（8） A High Density and Low Cost Staircase Scheme for 3D NAND Flash Memory: SDS(Stair Divided Scheme), ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 第 2 作者（9） The Optimization of Gate All Around-L-Shaped Bottom Select Transistor in 3D NAND Flash, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 6 作者（10） Modeling and optimization of array leakage in 3 D NAND flash memory, 2018 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications, 2018, 通讯作者（11） Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory, IEEE 14th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2018, 通讯作者（12） Impact of Critical Geometry Dimension on Channel Boosting Potential in 3D NAND Memory, 2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, 第 2 作者（13） Simulation On Threshold Voltage Of L-Shaped Bottom Select Transistor In 3D NANDFlash Memory, 2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, 第 3 作者（14） String Select Transistor Leakage Suppression By Threshold Voltage Modulation In 3DNAND Flash Memory, 2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, 第 2 作者（15） Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier, ECS Transactions, 2016, 第 3 作者（16） Comprehensive modeling of NAND Flash Memory Reliability: Endurance and Data Retention, IRPS, 2012, 第 1 作者（17） ECC Scheme Setup and Optimization of 16nm Cell NAND Flash Product through the Development of a Physical Distribution Simulator, Samsung Technical Papers, 2011, 第 2 作者（18） Investigation of Charge Loss Mechanisms in Planar and Raised STI Charge Trapping Flash Memories, SISPAD, 2010, 第 1 作者（19） Gate-Induced Image-Force Barrier Lowering in Schottky Barrier Field-Effect Transistors, Nanotechnology, 2009, 第 2 作者（20） Investigation of Gate Current in Nano-scale MOSFETs by Monte Carlo Solution of Quantum Boltzmann Equation, Chinese Physics, 2007, 第 1 作者（21） Monte Carlo Simulation of Band-to-band Tunneling in Silicon Devices, JJAP, 2007, 第 1 作者（22） Effect of Surface Roughness on Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Ge and Si Double-Gate MOSFETs, ICSICT, 2006, 第 1 作者（23） Monte Carlo Simulation of p and n channelGOI MOSFETs by Solving Quantum Boltzmann Equation, TED, 2005, 第 3 作者（24） Carrier Effective Mobilities in Germanium MOSFET Inversion layer Investigated by Monte Carlo Simulation, SSE, 2005, 第 1 作者