王颀 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085208-电子与通信工程招生方向新型纳米存储器件与集成技术存储器纠错技术研究大容量存储系统技术研究教育背景 1999-09--2005-01 复旦大学材料科学系材料物理与化学专业工学博士学位（硕博连读） 1994-09--1999-06 复旦大学材料科学系材料物理专业本科学历工作简历 2015-05~现在, 长江存储科技有限责任公司, 助理技术总监 2015-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员（课题组长） 2005-03~2015-04,三星电子（韩国）存储器事业部, 资深工程师（课长）奖励信息（1）微电子研究所十佳先进工作者, 一等奖, 研究所（学校）, 2016 专利成果（ 1 ） Memory device and system with improved erase operation, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: US8724400 （ 2 ）一种电荷泵电路, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201610258416.2 （ 3 ） NAND闪存存储器的读操作方法、电子设备和计算机可读存储介质, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710444963.4 （ 4 ）闪存存储单元的双数据读取验证方法和设备, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710933662.8 （ 5 ）一种闪存储器读操作方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710444963.4 （ 6 ）一种读取方法及闪存存储器装置, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710208361.9 （ 7 ）一种三维存储器适应性操作装置以及方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710343097.X （ 8 ）一种使用可控泵电流技术的低纹波电荷泵, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710847651.8 （ 9 ）三维存储器件的擦除方法, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201610084134.5 （ 10 ）一种用于非易失性存储器的读操作方法及装置, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610821886.5 （ 11 ）一种闪存存储器的擦除方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610574703.4 科研项目（ 1 ）中科院微电子所武汉新芯集成电路制造公司三维NAND存储器联合开发项目, 主持, 院级, 2014-10--2017-10 （ 2 ）中国科学院****, 主持, 部委级, 2015-11--2018-11 （ 3 ）中国科学院微电子研究所所长基金, 主持, 市地级, 2015-11--2018-11 （ 4 ）先进三维NAND型闪存存储器芯片集成工艺研究及其产业化, 参与, 部委级, 2016-01--2017-12

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（1） Dynamic LLR scheme based on EM algorithm for LDPC decoding in NAND flash memory, IEICE Electronics Express, 2017, 第 2 作者（2） A 1.2mV ripple 4.5V charge pump using controllable pumping current technology, IEICE Electronics Express, 2017, 第 5 作者（3） A high efficiency all-PMOS charge pump for 3D NAND flash memory, Journal of Semiconductors, 2016, 第 3 作者（4） A High Efficiency All -PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory, 11th ASICON, 2015, 第 3 作者（5） A Novel CMOS Low-dropout Regulator with 3A SinkSource Capability, 11th ASICON, 2015, 第 2 作者