田晓丽 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向功率半导体器件教育背景 2012-09--2016-06 中国科学院大学博士 2006-09--2009-06 四川大学硕士 2002-09--2006-06 四川大学本科专利成果（ 1 ）一种碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN 201710779475.9 （ 2 ）一种碳化硅器件终端及其制作方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN 201710774025.0 （ 3 ）碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN 201710593222.2 （ 4 ） ITC-IGBT及其制作方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: US 14/648,698 （ 5 ）一种场限环结构, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201120209191.4 （ 6 ）结终端延伸结构及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110166489.6 （ 7 ）一种中高压IGBT终端, 实用新型, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201320121922.9 （ 8 ）一种IGBT的版图, 实用新型, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201320121908.9 （ 9 ）一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310085560.7 （ 10 ）微穿通型IGBT器件及其制作方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201110175567.9 （ 11 ）绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201110175527.4 （ 12 ） RC-IGBT器件及其制备方法, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN201810714068.4 （ 13 ）逆导型IGBT的背面结构及其制备方法, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN201210526482.5 （ 14 ）一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN 201811004022.X （ 15 ）一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN 201811004891.2 （ 16 ）一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN 201811004937.0 （ 17 ） N沟道SiC IGBT器件的制作方法, 发明, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202010328453.2 （ 18 ）一种碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201911335633.7 （ 19 ）抗闩锁绝缘栅双极晶体管器件, 发明, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010025949.2 发表著作（1）功率半导体器件基础, 电子工业出版社, 2013-02, 第 5 作者科研项目（ 1 ）功率模块测试与验证, 主持, 国家级, 2013-01--2020-06 （ 2 ）车用高温大电流SiC芯片研发, 主持, 国家级, 2017-06--2021-07 （ 3 ） 3300V 超高压电力电子器件产业化开发, 主持, 部委级, 2016-06--2019-12 （ 4 ） “新型电力电子器件联合研发中心”项目, 参与, 院级, 2017-01--2021-01 （ 5 ） 1700V/30A SiC MOSFET器件研制, 参与, 省级, 2017-01--2018-12 （ 6 ）中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范, 参与, 国家级, 2016-06--2020-07 （ 7 ）轨道交通用高压大电流SiC芯片研制与可靠性研究, 主持, 省级, 2019-11--2022-11

近期论文

查看导师新发文章（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

（1） Simulation Study for the Structural Cell Design Optimization of 15kV SiC p-Channel IGBTs, Materials Science Forum, 2019, 第 1 作者（2） Design and Optimization of Ultrahigh Voltage CSL p-channel 4H-SiC IGBT, 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2019, 第 2 作者（3） Simulation Study on Super-Junction SiC MOSFET with Different PN Pillar Numbers, 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2019, 第 2 作者（4） A very narrow mesa biased IGBT for ultra-low on-state saturation voltage and a good short circuit ruggedness, 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2019, 第 2 作者（5） An Improved Edge Termination Structure to Optimize 3.3kV IGBTs Ruggedness, 2018 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2018, 第 1 作者（6） Design and Optimization of Four-Region Multistep Field Limiting Rings for 10kV 4H-SiC IGBTs, 2018 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2018, 第 2 作者（7） Simulation Study for the Structural Cell Design Optimization of 15kV SiC p-Channel IGBTs, the 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), 2018, 第 1 作者（8） Investigation on Current Crowding Effect in IGBTs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 第 3 作者（9） IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究, 物理学报, 2016, 第 4 作者（10） A Novel IGBT Structure With Floating N-Doped Buried Layer in P-Base to Suppress Latch-Up, IEEE Electron Device Letters, 2016, 第 8 作者（11） Backside optimization for improving avalanche breakdowm behavior of 4.5kV IGBT, Journal of Semiconductors, 2015, 第 1 作者（12） A Novel Optimization Design for 3.3kV Injection-Enhanced Gate Transistor, Journal of Semiconductors, 2014, 第 1 作者（13） Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design, Electron Device Letters, 2014, 第 4 作者