苏永波 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向化合物半导体器件与射频集成电路教育背景 2006-09--2011-07 中国科学院研究生院获得博士学位工作简历 2014-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员 2011-07~2014-12,中国科学院微电子研究所, 助理研究员科研项目（ 1 ）基于低频噪声机理分析的InP HBT可靠性研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12 （ 2 ） InP DHB 高速AD技术研究, 主持, 国家级, 2016-09--2018-12 （ 3 ）混频器, 主持, 国家级, 2017-09--2019-12 （ 4 ）青促会, 主持, 部委级, 2015-01--2018-12 （ 5 ）太赫兹三端电子器件研究, 参与, 国家级, 2010-01--2014-12 （ 6 ） InP基混频器MMIC, 参与, 国家级, 2014-09--2017-12 （ 7 ） InP HBT的超高速数字电路关键技术, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12 （ 8 ） InP HEMT毫米波低噪声MMIC, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12 （ 9 ） InP 3mm低噪声和功率MMIC, 参与, 国家级, 2014-01--2016-12 （ 10 ）太赫兹HEMT器件基础研究, 参与, 国家级, 2015-01--2019-12

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（1） a 75ghz 13.92 dbm inp dhbt cascode power amplifier, 红外与毫米波, 2012, 第 2 作者（2） An InGaAsInP W-band dynamic Frequency Divider by Two, 红外与毫米波, 2012, 第 2 作者（3） An InGaAs InP 40GHz CML Static Frequency Divider, 半导体学报, 2011, 第 1 作者（4） Ultra High-Speed InPInGaAs DHBTs with ft of 203GHz, 半导体学报, 2009, 第 1 作者（5） Study of AlN dielectric film on grapheme by Raman microscopy, Applied Physics Letters, 2009, 第 2 作者（6） Common base multifinger submicron InGaAsInP double heterojunction bipolar transistor with fmax of 305GHz, Solid-State Electronics, 2008, 第 2 作者（7） High BreakdownVoltage Submicron InGaAsInP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 170GHz and fmax of, 中国物理快报, 2008, 第 2 作者（8） High Current MultiFinger InGaAsInP Double Heterojunction Bipolar Transistor with the Maximum Oscillation Frequency 253GHz, 中国物理快报, 2008, 第 2 作者（9） HighSpeed InGaAsInP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage, 中国物理快报, 2008, 第 2 作者