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个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 招生方向 功率半导体器件 宽禁带半导体器件 高性能传感器电路 教育背景 2009-09--2013-06 中国科学院大学 博士学历 工作简历 2004-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员 专利与奖励 1) 陆江等;一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 授权公告号:CN207993870U 2) 陆江等;一种绝缘栅双极晶体管 授权公告号:CN207624704U 3) 陆江等;一种霍尔基片结构及霍尔传感器 授权公告号:CN207624732U 4) 陆江等;用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号:CN204389541U 5) 陆江等;适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号:CN204347072U 6) 陆江等;三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号:CN204303799U 7) 陆江等;三单元130毫米功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号:CN203069689U 8) 陆江等;34毫米半桥连接功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号:CN203025260U 9) 陆江等;两单元62毫米功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号:CN203025321U 10) 陆江等;一种功率半导体器件结电容测试装置 授权公告号:CN202141762U 11) 陆江等;一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN108155229A 12) 陆江等;一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN108122964A 13) 陆江等;一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 申请公布号:CN108122990A 14) 陆江;一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN106783946A 15) 陆江;一种槽型栅功率场效应晶体管 申请公布号:CN106505099A 16) 陆江;一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN106409887A 17) 陆江; 一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN106409899A 发表著作 (1) 功率半导体器件基础, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 电子工业出版社, 2013-02, 第 2 作者 科研项目 ( 1 ) 感性负载下MOS栅功率器件的动态雪崩失效机理及可靠性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12

研究领域

硅基功率器件、宽禁带SiC功率器件的可靠性设计及优化研究、功率半导体器件测试分析;硅基霍尔集成电路传感器设计

近期论文

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(1) Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, Journal of Semiconductors, 2018, 第 1 作者 (2) Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance, Chin. Phys. B, 2017, 第 2 作者

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