苏少坚 - 华侨大学 - 信息科学与工程学院

个人简介

2007年本科毕业于山东大学物理学院，获理学学士学位；2012年博士毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。2012年至今任职于华侨大学信息科学与工程学院。【讲授课程】本科生《大学物理》、《半导体器件基础》，研究生《半导体器件制作工艺》。【科研项目】目前主持一项国家自然科学基金青年项目和一项福建省自然科学基金青年项目，参与一项国家自然科学基金青年项目。

研究领域

硅基光子学、IV族半导体材料及其光电子和微电子器件、非晶晶化技术

近期论文

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[1] S. Su, D. Zhang, C. Xue, B. Cheng, “Influence of growth and annealing temperature on the strain and surface morphology of Ge995Sn0.005 epilayer,” Applied Surface Science, vol. 340, pp132-137, 2015. [2] S. Su, D. Zhang, G. Zhang, C. Xue, B. Cheng, “Growth of Ge1-xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beam epitaxy,” Superlattices and Microstructures, vol. 64, pp. 543-551, 2013. [3] S. Su, G. Han, D. Zhang, G. Zhang, C. Xue, Q. Wang, B. Cheng, “Strained germanium-tin pMOSFET fabricated on a silicon-on-insulator substrate with relaxed Ge buffer,” Chinese Physics Letters, vol. 30, no. 11, pp. 118501, 2013. [4] 苏少坚，张东亮，张广泽，薛春来，成步文，王启明，“Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge1-xSnx合金”，物理学报，vol. 62，no. 5, pp. 058101, 2013. [5] S. Su, B. Cheng, D. Zhang, G. Zhang, C. Xue, Q. Wang, “Growth of Ge1-xSnx alloys using combined sources of solid tin and gaseous germane,” ECS Transactions, vol. 50, no. 9, pp. 903-906, 2012. [6] 苏少坚, 成步文, 薛春来, 张东亮, 张广泽, 王启明, “GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏移”, 物理学报, vol.61, no.17, pp.176104, 2012. [7] S. Su, B. Cheng, C. Xue, W. Wang, Q. Cao, H. Xue, W. Hu, G. Zhang, Y. Zuo, and Q. Wang, “GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection,” Optics Express, vol.19, no.7, pp.6400-6405, 2011. [8] S. Su, W. Wang, B. Cheng, G. Zhang, W. Hu, C. Xue, Y. Zuo, and Q. Wang, “Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates,” Journal of Crystal Growth, vol.317, no.1, pp.43-46, 2011. [9] S. Su, W. Wang, B. Cheng, W. Hu, G. Zhang, C. Xue, Y. Zuo, and Q. Wang, “The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys,” Solid State Communications, vol.151, no.8, pp.647-650, 2011.