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个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息 招生方向 集成电路先导工艺技术 新原理装备技术 教育背景 1993-09--1997-09 北京科技大学 博士学位 1984-09--1987-06 南开大学电子科学系 硕士学位 1980-09--1984-07 南开大学物理系 学士学位 工作简历 2002-05~现在, 中科院微电子所, 研究员 2000-04~2002-04,美国纽约洲立大学, 访问学者 1997-10~1999-10,中科院高能物理研究所, 博士后 1993-09~1997-09,北京科技大学, 博士学位 1987-09~1993-07,机电部13所, 工程师 1984-09~1987-06,南开大学电子科学系, 硕士学位 1980-09~1984-07,南开大学物理系, 学士学位 专利成果 ( 1 ) 一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010560898.x ( 2 ) 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546602.9, ( 3 ) 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: 200910306624.5 ( 4 ) 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546594.8 ( 5 ) 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546604.8 ( 6 ) 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200910306635.3 ( 7 ) 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010560899.4 ( 8 ) 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010561021.2, 科研项目 ( 1 ) 大功率LED 模组生产工艺及成套设备, 主持, 省级, 2011-01--2013-12 ( 2 ) 新型三维成像与三维微显示技术及器件基础研究, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12

近期论文

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(1) 紫外日盲焦平面探测器成像处理系统研制, 《红外与激光工程》, 2010, 第 4 作者 (2) 焦平面阵列BP神经网络非均匀性校正及其算法改进, 《红外技术》, 2010, 第 4 作者 (3) 三维物体的重建方法 , 《微纳电子技术》 , 2010, 第 2 作者 (4) 具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制, 半导体学报, 2006, 第 1 作者 (5) 基于Flip-Chip技术的AlGaN/GaN HEMTs, 半导体学报, 2005, 第 4 作者 (6) 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制, 半导体学报, 2005, 第 4 作者 (7) Co-implantation of carbon and nitrogen into silicon dioxide for synthesis of carbon nitride materials, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2002, 第 2 作者 (8) Investigation of SiC Films Deposited onto Stainless Steel and Their Retarding Effects on Tritium Permeation”, Surface and coating technology,, 2000, 第 2 作者 (9) A Rapid Annealing Study of Neutron-Irradiated GaAs by Rutherford Backscattering Spectrometry/Channeling, J. of Vacuum Science and Technology B, 2000, 第 1 作者 (10) A Photoluminescence Study of the Defects Induced by Neutron Irradiation and Rapid Annealing in SI-GaAs, Journal of Applied Physics, 2000, 第 1 作者

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