个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
集成电路先导工艺技术
新原理装备技术
教育背景
1993-09--1997-09 北京科技大学 博士学位
1984-09--1987-06 南开大学电子科学系 硕士学位
1980-09--1984-07 南开大学物理系 学士学位
工作简历
2002-05~现在, 中科院微电子所, 研究员
2000-04~2002-04,美国纽约洲立大学, 访问学者
1997-10~1999-10,中科院高能物理研究所, 博士后
1993-09~1997-09,北京科技大学, 博士学位
1987-09~1993-07,机电部13所, 工程师
1984-09~1987-06,南开大学电子科学系, 硕士学位
1980-09~1984-07,南开大学物理系, 学士学位
专利成果
（ 1 ） 一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010560898.x
（ 2 ） 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546602.9,
（ 3 ） 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: 200910306624.5
（ 4 ） 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546594.8
（ 5 ） 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546604.8
（ 6 ） 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200910306635.3
（ 7 ） 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010560899.4
（ 8 ） 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010561021.2,
科研项目
（ 1 ） 大功率LED 模组生产工艺及成套设备, 主持, 省级, 2011-01--2013-12
（ 2 ） 新型三维成像与三维微显示技术及器件基础研究, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12
近期论文
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（1） 紫外日盲焦平面探测器成像处理系统研制, 《红外与激光工程》, 2010, 第 4 作者
（2） 焦平面阵列BP神经网络非均匀性校正及其算法改进, 《红外技术》, 2010, 第 4 作者
（3） 三维物体的重建方法 , 《微纳电子技术》 , 2010, 第 2 作者
（4） 具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（5） 基于Flip－Chip技术的AlGaN/GaN HEMTs, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
（6） 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
（7） Co-implantation of carbon and nitrogen into silicon dioxide for synthesis of carbon nitride materials, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2002, 第 2 作者
（8） Investigation of SiC Films Deposited onto Stainless Steel and Their Retarding Effects on Tritium Permeation”, Surface and coating technology,, 2000, 第 2 作者
（9） A Rapid Annealing Study of Neutron-Irradiated GaAs by Rutherford Backscattering Spectrometry/Channeling, J. of Vacuum Science and Technology B, 2000, 第 1 作者
（10） A Photoluminescence Study of the Defects Induced by Neutron Irradiation and Rapid Annealing in SI-GaAs, Journal of Applied Physics, 2000, 第 1 作者
京公网安备 11010802027423号