单毅 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向模拟IC设计，数字IC设计，射频IC设计，ESD保护研究教育背景 2004-09--2009-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士 2000-09--2004-07 东南大学学士工作简历 2017-03~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 高级工程师 2014-07~2017-03,武汉新芯集成电路制造有限公司, 技术经理 2010-05~2012-07,GLOBALFOUNDRIES（新加坡）, 主任工程师 2009-07~2010-05,上海宏力半导体制造有限公司, 主任工程师 2004-09~2009-07,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士 2000-09~2004-07,东南大学, 学士奖励信息（1）上海工匠, 市地级, 2019 专利成果（ 1 ）一种ESD保护结构, 2020, 第 1 作者, 专利号: 201711223054.4 （ 2 ）一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201711194469.3 （ 3 ）一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201711250882.7 （ 4 ）一种静电保护结构及静电保护电路, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910773025.8 （ 5 ）一种基于SOI工艺的晶闸管器件及静电保护电路, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910743314.3 （ 6 ）一种基于SOI工艺的静电放电保护结构, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910722077.2 （ 7 ）一种静电保护结构及静电保护电路, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910773021.X 科研项目（ 1 ）超导计算机研发, 参与, 部委级, 2018-02--2022-12 （ 2 ）自旋存储器的KFZ加固工艺研究与流片, 参与, 研究所（学校）, 2020-05--2021-12 （ 3 ）新型KFZ存储器异质集成设计研究, 参与, 研究所（学校）, 2020-01--2021-12

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（1） An Enhanced Well-Changed GGNMOS for 3.3-V ESD Protection in 0.13-μm SOI Process, IEICE Trans. Electron, 2020, 第 2 作者（2） A 16 bit 200 kS/s successive approximation register ADC with foreground on-chip self-calibration, IEICE Electronics Express, 2020, 第 2 作者（3） A 16-bit 8-MS/s SAR ADC with a foreground calibration and hybrid-charge-supply power structure, IEICE Electronics Express, 2020, 第 3 作者