白云 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向射频、微波器件与电路集成技术教育背景 2020-08--中国科学院微电子研究所研究员 2004-09--中国科学院上海技术物理研究所博士 2001-09--河北师范大学硕士 1996-09--河北师范大学学位工作简历 2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员 2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研 2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 助研 2007-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士后 2004-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士 2001-09~现在, 河北师范大学, 硕士 1996-09~现在, 河北师范大学, 学位奖励信息（1）高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用, 二等奖, 省级, 2019 （2） SiC电力电子器件关键技术及应用, 三等奖, 省级, 2018 专利成果（ 1 ）一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110380662.2 （ 2 ）具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200910306624.5 （ 3 ）一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200910306635.3 （ 4 ）一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210483461.X （ 5 ）一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483401.8 （ 6 ）一种测量高Al组分AlGaN刻蚀诱生界面态参数的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210482757.X （ 7 ）一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483359.X （ 8 ） SiC肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110380007.7 （ 9 ）一种场限环结终端结构的优化设计方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410671594.9 （ 10 ）双极晶体管及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810894043.7 （ 11 ）一种碳化硅电力电子器件制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110145212.9 （ 12 ）一种碳化硅器件的制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202110145208.2 科研项目（ 1 ）高增益碳化硅紫外光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12 （ 2 ）高增益AlGaN日盲紫外异质结光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12 （ 3 ） 1700V/30ASiC MOSFET 器件研制, 主持, 省级, 2017-01--2018-12 （ 4 ）化合物基车用芯片材料技术研究, 主持, 院级, 2017-01--2018-12 （ 5 ）高温SiC芯片研究, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06 （ 6 ）碳化硅xx器件xx关键技术研究, 主持, 研究所（学校）, 2020-01--2021-12 （ 7 ）高质量碳化硅xx工艺技术研究, 主持, 研究所（学校）, 2020-01--2022-12

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（1） A Novel 4H-SiC Trench MOSFET Integrated With Mesa-Sidewall SBD, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 2 作者（2） A novel 4H-SiC MOSFET for low switching loss and high-reliability applications, Semicond. Sci. Technol., 2020, 第 3 作者（3） A trench/planar SiC MOSFET integrated with SBD (TPSBD) for low reverse recovery charge and low switching loss, Semicond. Sci. Technol., 2020, 第 2 作者（4） Improved Electrical Properties of NO-nitrided Passivated SiC/SiO2 Interface after Electron Irradiation, Chin. Phys. B, 2019, 第 2 作者（5） Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者（6） Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain, Materials Science Forum, 2017, 第 1 作者（7） Structural Optimization of 4H-SiC BJT for Ultraviolet detection with High optical gain, Materials Science Forum, 2016, 第 1 作者（8） Design and Optimization of AlGaN Solar-blind Double Heterojunction, Materials Science Forum, 2016, 第 1 作者（9） Effect of Annealing on the Characteristics of Pd/Au Contacts to p-Type GaN/Al0.45Ga0.55N, Journal of Electronic Materials, 2012, 第 1 作者（10） Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface, Applied Surface Science, 2010, 第 1 作者