毕大炜 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向高可靠SOI集成电路技术教育背景 2005-09--2010-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士 2001-09--2005-06 中国科学技术大学本科工作简历 2015-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员 2010-06~2014-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员 2005-09~2010-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士 2001-09~2005-06,中国科学技术大学, 本科奖励信息（1） 2017-2019年度辐射物理领域十大科技进展奖, 一等奖, 部委级, 2019 （2） SOI专用技术与设备开发合作奖, 一等奖, 其他, 2019 科研项目（ 1 ）特殊晶体管定制工艺开发, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12 （ 2 ） 130nm高可靠SOI工艺建模建库技术研究, 参与, 省级, 2018-02--2020-06 （ 3 ） 41424040503, 参与, 国家级, 2016-01--2020-12

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（1） Substrate effect on radiation-induced charge trapping in buried oxide for partially-depleted SOI NMOSFET, IEICE Electronics Express, 2020, 通讯作者（2） The analysis of the anomalous hot-carrier effect in partially depleted SOI pMOSFETs fabricated on modified wafer, Microelectronics Reliability, 2019, 第 2 作者（3） Metastable Electron Traps in Modified Silicon-on-Insulator Wafer, CHIN. PHYS. LETT., 2018, 第 2 作者（4） Influence of characteristics measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者（5） Research on the radiation hardened SOI devices with Single step Si ion implantation, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者

学术兼职

2018-09-01-2019-08-31,昆山市科学技术局, 副局长