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个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 招生方向 CMOS器件的空间辐射效应 教育背景 2010-09--2015-05 中国科学院大学 博士 2005-09--2009-07 山东大学 学士 工作简历 2019-11~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员 2015-07~2019-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员 奖励信息 (1) 新疆维吾尔自治区自然科学优秀论文一等奖, 一等奖, 省级, 2018 专利成果 ( 1 ) 一种基于三维叠层封装S RAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN201911212780.5. ( 2 ) 一种基于阈值电压类型 匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN201911212779.2. 科研项目 ( 1 ) XX器件总剂量效应机理及抑制方法研究, 主持, 国家级, 2019-12--2024-12 ( 2 ) XX器件总剂量辐射效应研究, 主持, 国家级, 2019-12--2024-12 ( 3 ) 中国科学院青促会会员, 主持, 部委级, 2020-01--2024-12 参与会议 (1)累积总剂量对纳米 SRAM 器件单粒子效应影响规律及机制 中国核学会辐射物理分会第三届学术交流会 2018-07-24 (2)Tot al Ionizing Dose Influence on Single Event Upset sensitivity of 65nm 6-T SRAM 2018-05-16

研究领域

CMOS器件空间辐射效应

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(1) Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2019, 第 1 作者 (2) Total Ionizing Dose Influence on the Single Event Multiple Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2019, 第 1 作者 (3) The Increased Single Event Upset Sensitivity of 65nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2018, 第 1 作者 (4) Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2018, 第 1 作者 (5) Total Ionizing Dose Influence on the Single Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2017, 第 1 作者

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