郑齐文 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向 CMOS器件的空间辐射效应教育背景 2010-09--2015-05 中国科学院大学博士 2005-09--2009-07 山东大学学士工作简历 2019-11~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员 2015-07~2019-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员奖励信息（1）新疆维吾尔自治区自然科学优秀论文一等奖, 一等奖, 省级, 2018 专利成果（ 1 ）一种基于三维叠层封装S RAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN201911212780.5. （ 2 ）一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN201911212779.2. 科研项目（ 1 ） XX器件总剂量效应机理及抑制方法研究, 主持, 国家级, 2019-12--2024-12 （ 2 ） XX器件总剂量辐射效应研究, 主持, 国家级, 2019-12--2024-12 （ 3 ）中国科学院青促会会员, 主持, 部委级, 2020-01--2024-12 参与会议（1）累积总剂量对纳米 SRAM 器件单粒子效应影响规律及机制中国核学会辐射物理分会第三届学术交流会 2018-07-24 （2）Tot al Ionizing Dose Influence on Single Event Upset sensitivity of 65nm 6-T SRAM 2018-05-16

研究领域

CMOS器件空间辐射效应

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（1） Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2019, 第 1 作者（2） Total Ionizing Dose Influence on the Single Event Multiple Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2019, 第 1 作者（3） The Increased Single Event Upset Sensitivity of 65nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2018, 第 1 作者（4） Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2018, 第 1 作者（5） Total Ionizing Dose Influence on the Single Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs, IEEE Trans.Nucl. Sci., 2017, 第 1 作者